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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利改善浮栅侧墙刻蚀轮廓的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013972B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310024708.X，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权改善浮栅侧墙刻蚀轮廓的方法是由张振兴设计研发完成，并于2023-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善浮栅侧墙刻蚀轮廓的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善浮栅侧墙刻蚀轮廓的方法，提供衬底，衬底上形成有叠层，叠层由自下而上依次堆叠的垫氧层、浮栅多晶硅层、极间介质层、控制栅多晶硅层和第一硬掩膜层组成，之后在第一掩膜层上形成开口使得其下方的控制栅多晶硅层裸露；形成覆盖第一硬掩膜层、裸露的控制栅多晶硅层的第二硬掩膜层；在刻蚀机台中通入含碳量大于预设值的刻蚀气体，电离刻蚀气体为第一离子束，利用第一离子束刻蚀第二硬掩膜层；在刻蚀机台中通入含碳量大于预设值的刻蚀气体，电离刻蚀气体为第二离子束，利用第二离子束刻蚀第二硬掩膜层至控制栅多晶硅层裸露。本发明能够改善刻蚀轮廓底部关键尺寸的均匀性，以得到垂直的刻蚀轮廓；便于控制侧墙高度。

本发明授权改善浮栅侧墙刻蚀轮廓的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善浮栅侧墙刻蚀轮廓的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有叠层，所述叠层由自下而上依次堆叠的垫氧层、浮栅多晶硅层、极间介质层、控制栅多晶硅层和第一硬掩膜层组成，之后在所述第一硬掩膜层上形成开口使得其下方的所述控制栅多晶硅层裸露； 步骤二、形成覆盖所述第一硬掩膜层、裸露的所述控制栅多晶硅层的第二硬掩膜层； 步骤三、在刻蚀机台中通入含碳量大于预设值的刻蚀气体，所述含碳量大于预设值的刻蚀气体包括C4F8、C5F8、C4F6中的至少一种，电离所述刻蚀气体为第一离子束，所述第一离子束刻蚀时，所述第二硬掩膜层相对所述控制栅多晶硅为第一刻蚀选择比，利用所述第一离子束刻蚀所述第二硬掩膜层至部分第二硬掩膜层保留在所述开口的底部；其中，电离所述刻蚀气体为所述第一离子束的方法包括：利用27MHZ、功率大于700W的射频源电离所述刻蚀气体，将所述刻蚀气体电离形成的离子加速，形成所述第一离子束； 步骤四、在所述刻蚀机台中通入含碳量大于所述预设值的所述刻蚀气体，所述含碳量大于预设值的刻蚀气体包括C4F8、C5F8、C4F6中的至少一种，电离所述刻蚀气体为第二离子束，所述第二离子束刻蚀时，所述第二硬掩膜层相对所述控制栅多晶硅为第二刻蚀选择比，所述第二刻蚀选择比小于所述第一刻蚀选择比，利用所述第二离子束刻蚀所述第二硬掩膜层至所述控制栅多晶硅层裸露。

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