厦门大学;厦门胜泽泰医药科技有限公司洪文晶获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门大学;厦门胜泽泰医药科技有限公司申请的专利一种玻璃基微流控芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116022729B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211674476.4，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种玻璃基微流控芯片及其制备方法是由洪文晶;田佳鑫;何润泽;刘俊扬;李润权;郭建;魏立霄设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种玻璃基微流控芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种玻璃基微流控芯片及其制备方法，包括以下步骤：制得裸露光刻图形的玻璃基底，所述光刻图形包含溶液流入通道、反应通道、溶液流出通道，所述反应通道设置有围堰结构；对所述裸露光刻图形的玻璃基底除反应通道以外的图形，根据不同的刻蚀通道深度分别进行保护，得到分步保护的玻璃基底；使湿法刻蚀液在所述分步保护的玻璃基底的表面恒速流动，根据刻蚀通道目标深度，在相应的时间分别去除所述分步保护的玻璃基底的保护，使各个通道分别在恒速流动的湿法刻蚀液中暴露相应的时间，制得具有不同深宽比微通道的芯片底板；制备芯片盖板，将所述芯片底板和所述芯片盖板键合，制得玻璃基微流控芯片。
本发明授权一种玻璃基微流控芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种玻璃基微流控芯片的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 通过镀铬工艺、匀胶工艺、光刻工艺、显影工艺、坚膜工艺、去铬工艺，制得裸露光刻图形的玻璃基底，所述光刻图形包含溶液流入通道、反应通道、溶液流出通道，所述反应通道设置有围堰结构； 对所述裸露光刻图形的玻璃基底除反应通道以外的图形，根据不同的刻蚀通道深度分别进行保护层的覆盖，得到分步保护的玻璃基底； 使湿法刻蚀液在所述分步保护的玻璃基底的表面恒速流动，根据刻蚀通道目标深度，在相应的时间分别去除所述分步保护的玻璃基底的保护层，使各个通道分别在恒速流动的湿法刻蚀液中暴露相应的时间，制得具有不同深宽比微通道的芯片底板； 制备芯片盖板，将所述芯片底板和所述芯片盖板键合，制得玻璃基微流控芯片。
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