长江存储科技有限责任公司朱宏斌获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116075928B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180003356.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法是由朱宏斌;刘威;王言虹设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法在说明书摘要公布了：在某些方面中，一种三维3D存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构、第三半导体结构、在第一半导体结构与第二半导体结构之间的第一键合界面、以及在第二半导体结构与第三半导体结构之间的第二键合界面。第一半导体结构包括外围电路。第二半导体结构包括存储器单元的第一阵列。第三半导体结构包括存储器单元的第二阵列。第一阵列和第二阵列中的存储器单元中的每一个存储器单元包括在第一方向上延伸的垂直晶体管和耦合到垂直晶体管的存储单元。存储器单元的第一阵列经过第一键合界面耦合到外围电路。存储器单元的第二阵列经过第一键合界面和第二键合界面耦合到外围电路。
本发明授权具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器器件，包括： 第一半导体结构，所述第一半导体结构包括外围电路； 第二半导体结构，所述第二半导体结构包括存储器单元的第一阵列； 第三半导体结构，所述第三半导体结构包括存储器单元的第二阵列，其中，所述第一阵列和所述第二阵列中的所述存储器单元中的每一个存储器单元包括在第一方向上延伸的垂直晶体管和耦合到所述垂直晶体管的存储单元； 第一键合界面，所述第一键合界面在所述第一方向上在所述第一半导体结构与所述第二半导体结构之间，其中，存储器单元的所述第一阵列经过所述第一键合界面耦合到所述外围电路；以及 第二键合界面，所述第二键合界面在所述第一方向上在所述第二半导体结构与所述第三半导体结构之间，其中，存储器单元的所述第二阵列经过所述第一键合界面和所述第二键合界面耦合到所述外围电路。
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