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龙图腾网获悉天津巴莫科技有限责任公司申请的专利镍基三元正极材料及其制备方法、正极极片、二次电池和用电装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116111056B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211582195.6，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权镍基三元正极材料及其制备方法、正极极片、二次电池和用电装置是由刘美景;马兆龙;程晓焜;徐宁;吕菲设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本镍基三元正极材料及其制备方法、正极极片、二次电池和用电装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种镍基三元正极材料及其制备方法、正极极片、二次电池和用电装置，镍基三元正极材料包括：含硼元素的镍基正极材料基体，其中，含硼元素的镍基正极材料基体的分子式为LiNix1Coy1Mnz1‑aBaO2，x1+y1+z1+a＝1,0x11,0y11,0z11,0a0.5；和覆于含硼元素的镍基正极材料基体的至少部分表面上的包覆层，其中，包覆层中包含分子式为LibMcPdO4的磷酸锂盐，0b5,0c5,0d5。本申请提供的镍基三元正极材料可以提升二次电池的倍率性能和循环性能。

本发明授权镍基三元正极材料及其制备方法、正极极片、二次电池和用电装置在权利要求书中公布了：1.一种镍基三元正极材料，其特征在于，包括： 含硼元素的镍基正极材料基体，其中，所述含硼元素的镍基正极材料基体的分子式为LiNix1Coy1Mnz1-aBaO2，x1+y1+z1+a=1,0x11,0y11,0z11,0a0.5，所述镍基正极材料基体中的部分硼元素存在于晶界和材料的浅表层，所述硼元素在所述镍基三元正极材料中的质量占比为0.1%~10%；和 覆于所述含硼元素的镍基正极材料基体的至少部分表面上的包覆层，其中，所述包覆层中包含分子式为LibMcPdO4的磷酸锂盐，0b5,0c5,0d5，M包括Al、Ti、Mg、Zr、Y和W中的一种或多种；所述包覆层中的磷元素在所述镍基三元正极材料中的质量占比为0.1%~10%； 所述镍基三元正极材料的制备方法包括： 对包含镍钴锰三元前驱体和硼酸的前驱体粉做预烧处理，得到预烧料； 将所述预烧料与锂源混合后做一次烧结处理，得到所述含硼元素的镍基正极材料基体； 将所述含硼元素的镍基正极材料基体与偏磷酸盐混合后做二次烧结处理，在所述含硼元素的镍基正极材料基体的至少部分表面形成所述包覆层，得到所述镍基三元正极材料。

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