长鑫存储技术有限公司杜冉获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构、半导体结构的检测方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130376B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310004386.2，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权半导体结构、半导体结构的检测方法及装置是由杜冉设计研发完成，并于2023-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、半导体结构的检测方法及装置在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了半导体结构、半导体结构的检测方法及装置，通过在待检测半导体结构中设置多个相互独立的连接孔，以通过获取该待检测半导体结构的检测图像，再根据检测图像中连接孔所处位置的图像特征值，确定该待检测半导体结构中的连接孔内是否残留非导电物质。
本发明授权半导体结构、半导体结构的检测方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的检测方法，其特征在于，包括： 采用扫描电子显微镜获取待检测半导体结构的第一区域中的图像作为检测图像，以获取待检测半导体结构的检测图像；其中，所述待检测半导体结构包括第一区域和第二区域，所述第一区域具有多个相互独立的连接孔，所述第二区域具有多个相互连通的连接孔，所述待检测半导体结构中的多个连接孔相互独立； 根据所述检测图像中连接孔所处位置的图像特征值，确定所述待检测半导体结构中的连接孔内是否残留非导电物质。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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