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龙图腾网获悉上海新微技术研发中心有限公司申请的专利非对称大深宽比沟槽的填充方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153850B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111392254.9，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权非对称大深宽比沟槽的填充方法是由陈东石;涂芝娟;蔡艳;汪巍;余明斌设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本非对称大深宽比沟槽的填充方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种非对称大深宽比沟槽的填充方法，包括：1于基底形成非对称深沟槽；2第一次沉积第一隔离介质层，随着第一隔离介质层的生长，非对称深沟槽开口上方逐渐封闭形成第一封口；3腐蚀第一隔离介质层，直至将第一封口打开，形成具有一宽度的开口；4第二次沉积第二隔离介质层，第二隔离介质层在非对称深沟槽开口上方逐渐封闭形成第二封口，第二封口的高度低于第一封口的高度；5重复进行步骤3和步骤4，以将最终的封口高度降低至目标高度。本发明仅需采用传统的隔离介质层沉积和腐蚀工艺技术便可有效控制孔隙的顶部封口位置，解决了用更先进设备也无法解决的非对称大深宽比硅沟槽填充问题，同时大大降低了填充成本。

本发明授权非对称大深宽比沟槽的填充方法在权利要求书中公布了：1.一种非对称大深宽比沟槽的填充方法，其特征在于，所述填充方法包括： 1提供一基底，于所述基底中刻蚀出深沟槽，刻蚀所述基底，使所述深沟槽第一侧的所述基底高度小于所述深沟槽第二侧的基底高度，以形成非对称深沟槽；其中，所述深沟槽的深宽比大于或等于10； 2在所述非对称深沟槽中和所述基底表面第一次沉积第一隔离介质层，随着所述第一隔离介质层的生长，所述第一隔离介质层在所述非对称深沟槽开口上方逐渐封闭形成第一封口； 3腐蚀所述第一隔离介质层，以逐渐减薄所述第一隔离介质层直至将所述第一封口打开，形成具有一宽度的开口； 4在所述非对称深沟槽中和所述基底表面第二次沉积第二隔离介质层，随着所述第二隔离介质层的生长，所述第二隔离介质层在所述非对称深沟槽开口上方逐渐封闭形成第二封口，所述第二封口的高度低于所述第一封口的高度； 5重复进行步骤3和步骤4，以将所述非对称深沟槽上方隔离介质层最终的封口高度降低至目标高度，在隔离介质层最终的封口时，所述非对称深沟槽内包含有被所述封口密封的孔隙，所述非对称深沟槽上方隔离介质层最终的封口高度低于所述深沟槽第二侧的所述基底顶面高度。

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