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龙图腾网获悉力旺电子股份有限公司申请的专利非易失性存储单元及其相关阵列结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116156883B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211208843.1，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权非易失性存储单元及其相关阵列结构是由陈学威设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本非易失性存储单元及其相关阵列结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种非易失性存储单元及其相关阵列结构。存储单元包括一选择晶体管与一浮动栅晶体管。浮动栅晶体管的浮动栅极与辅助栅极区域形成一电容器。浮动栅极与抹除栅极区域形成另一电容器。选择晶体管、浮动栅晶体管与两个电容器组成四端点存储单元，使得存储单元具备尺寸size较小且易于操作的优点。

本发明授权非易失性存储单元及其相关阵列结构在权利要求书中公布了：1.一种具可编程可抹除的单一多晶硅层非易失性存储单元的阵列结构，该阵列结构制作于半导体基板上，该阵列结构包括： 隔离结构，形成于该半导体基板上，且该隔离结构将该半导体基板表面区分为第一区域与第二区域； 阱区，形成于该半导体基板的该第一区域表面下方； 第一栅极结构与第二栅极结构，形成于该第一区域表面上，且该第一栅极结构与该第二栅极结构将该第一区域表面区分为第一子区域、第二子区域与第三子区域；其中，该第一子区域位于该第一栅极结构的第一侧，该第二子区域位于该第一栅极结构的第二侧与该第二栅极结构的第一侧之间，该第三子区域位于该第二栅极结构的第二侧，该第一栅极结构连接至第一选择栅极线，该第二栅极结构的分支经由该隔离结构表面向外延伸，该第二栅极结构的第一部分覆盖于部分的该第二区域，且该第二栅极结构的第二部分覆盖于部分的该第三子区域； 第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区，分别形成于该第一子区域、该第二子区域与该第三子区域表面下方，该第一掺杂区连接至第一源极线，且该第三掺杂区连接至第一位线；以及 第四掺杂区，形成于该第二区域表面下方，且该第四掺杂区连接至抹除线； 其中，该第一掺杂区、该第一栅极结构与该第二掺杂区形成第一选择晶体管；该第二掺杂区、该第二栅极结构与该第三掺杂区形成第一浮动栅晶体管；该第二栅极结构的该第一部分与该第四掺杂区形成第一电容器；该第二栅极结构的该第二部分与该第三掺杂区形成第二电容器；以及，该阵列结构的第一存储单元包括：该第一选择晶体管、该第一浮动栅晶体管、该第一电容器与该第二电容器； 其中，该阵列结构还包括第二存储单元；该第二存储单元包括：第二选择晶体管、第二浮动栅晶体管、第三电容器与第四电容器；该第二选择晶体管的栅极端连接至第二选择栅极线，该第二选择晶体管的第一漏源端连接至该第一源极线，该第二浮动栅晶体管的第一漏源端连接至该第二选择晶体管的第二漏源端，该第二浮动栅晶体管的第二漏源端连接至该第一位线，该第三电容器的第一端连接至该第二浮动栅晶体管的浮动栅极，该第三电容器的第二端连接至该抹除线，该第四电容器的第一端连接至该第二浮动栅晶体管的该浮动栅极，该第四电容器的第二端连接至该第一位线。

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