华虹半导体(无锡)有限公司郑晓辉获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利悬梁结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190400B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310108583.9，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权悬梁结构的形成方法是由郑晓辉;张栋;范晓;王函;陈广龙设计研发完成，并于2023-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本悬梁结构的形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种悬梁结构的形成方法，该方法应用于CIS的制作工艺中，包括：提供一衬底，衬底上形成有硬掩模层，衬底和硬掩模层中形成有沟槽，沟槽的深度和宽度的比值大于4，沟槽具有上部和下部，上部的宽度小于下部的宽度，硬掩模层和沟槽上部暴露的表面形成有线性氧化层；在沟槽下部的周侧形成第一外延层；去除线性氧化层；在第一外延层和沟槽暴露的表面形成第二外延层，第二外延层填充沟槽的开口；去除硬掩模层；在衬底和第二外延层上形成第三外延层。本申请通过先在深沟槽中形成第一外延层，然后形成第二外延层，最后形成第三外延层的方式形成深层的PD，能够改善生沟槽提前封口的问题。
本发明授权悬梁结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种悬梁结构的形成方法，其特征在于，所述方法应用于CIS的制作工艺中，所述方法包括： 提供一衬底，所述衬底上形成有硬掩模层，所述衬底和硬掩模层中形成有沟槽，所述沟槽的深度和宽度的比值大于4，所述沟槽具有上部和下部，所述上部的宽度小于所述下部的宽度，所述硬掩模层和所述沟槽上部暴露的表面形成有线性氧化层； 在所述沟槽下部的周侧形成第一外延层； 去除所述线性氧化层； 在所述第一外延层和所述沟槽暴露的表面形成第二外延层，所述第二外延层填充所述沟槽的开口； 去除所述硬掩模层； 在所述衬底和所述第二外延层上形成第三外延层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励