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龙图腾网获悉新疆大学申请的专利一种忆阻禁忌学习神经元共存放电行为的分析方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116205278B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210199727.1，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权一种忆阻禁忌学习神经元共存放电行为的分析方法及装置是由张绍华;王聪;张宏立;马萍;李新凯;卞一帆设计研发完成，并于2022-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种忆阻禁忌学习神经元共存放电行为的分析方法及装置在说明书摘要公布了：本申请公开一种忆阻禁忌学习神经元共存放电行为的分析方法及装置，所述方法包括：忆阻器的选择与验证；忆阻禁忌学习神经元建模；交流平衡态分析；确定放电行为的参数域；共存放电行为的检测；共存放电行为的验证。与现有技术相比本发明所提供的放电行为检测方法准确度高，较为全面，并且有效捕捉共存放电活动。

本发明授权一种忆阻禁忌学习神经元共存放电行为的分析方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种忆阻禁忌学习神经元共存放电行为的分析方法，其特征在于，包括： S101：选择磁控忆阻器并获取数学模型，利用四阶龙格库塔法求解所述数学模型并通过磁滞回线验证所述磁控忆阻器的特性； S102：根据禁忌搜索算法的特征选择禁忌学习神经元模型，并且所述禁忌学习神经元模型与所述磁控忆阻器结合构成忆阻禁忌学习神经元； S103：根据所述禁忌学习神经元模型获取平衡点，并将所述平衡点分为Hopf分岔点类型，和或折叠分岔点类型，和或不稳定鞍点类型，和或不稳定结点类型，和或不稳定结焦类型，和或不稳定鞍焦类型，和或稳定结点类型，和或稳定结焦类型； S104：确定与忆阻初值相关和与外部电流幅值相关的动力学行为的参数域； S105：根据所述参数域，通过固定其中一个控制参数，改变另一个控制参数可以得到多种不同周期的放电行为；将不同控制参数下的两组或者多组初值诱导的放电行为叠加得到共存放电行为；通过一维分岔图、最大Lyapunov指数谱、相图和时间序列图对不同类型的共存放电行为进行检测； S106：采用PSIM电力电子仿真软件，搭建所述忆阻禁忌学习神经元的模拟电路，进行模拟验证； 选择磁控忆阻器并获取数学模型，利用四阶龙格库塔法求解所述数学模型并通过磁滞回线验证所述磁控忆阻器的特性包括： S1011：选择具有多稳态的磁控忆阻器来模拟忆阻禁忌神经元真实受到的电磁辐射，所述磁控忆阻器的数学模型为： 其中，其中为磁控忆阻器的磁通量，单位：韦伯Wb；是忆阻器的VCR方程，其符合欧姆定律；是流经忆阻器的电流，单位：安培A；是忆阻的两端电压,单位：伏特V；是忆导值，单位：西门子S； S1012：根据S1011中的数学模型，通过给定正弦的交流电压信号作为忆阻的输入电压来验证忆阻器的三个典型特性，给定忆阻器的初始值后，采用经典的四阶龙格库塔法求解忆阻器的微分方程，得到忆阻器状态的数值解，将代入中得到忆阻器的电压和电流的关系，保持的频率不变，改变的幅值分别为1V、1.5V和2V，则忆阻器的关系呈现过原点的收缩紧磁滞回线；其次，保持的幅值不变，改变的频率分别为0.4Hz、0.8Hz和1.6Hz，忆阻器的紧磁滞回线的旁瓣面积随着的增大而减小；接着，通过进一步增大，验证忆阻器的紧磁滞回线最终收缩到过原点的一条直线上，验证了忆阻器的三个典型特性。

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