马鞍山市槟城电子有限公司龚闯获国家专利权
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龙图腾网获悉马鞍山市槟城电子有限公司申请的专利一种半导体器件制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116206958B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310167243.3，技术领域涉及：H10P32/14；该发明授权一种半导体器件制备方法是由龚闯;张常军设计研发完成，并于2023-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件制备方法。该半导体器件制备方法包括：提供一衬底；在衬底正面形成场氧化层；对衬底背面进行第一预设材料的预扩散处理与推结；在衬底背面向衬底内部的方向刻蚀形成多个呈阵列排布的孔槽；其中，孔槽的深度小于推结深度；采用第二预设材料将各孔槽填充满，得到背面具有孔槽填充的衬底结构，以替代外延片。本发明实施例的技术方案降低了工艺复杂度和制备成本，且对工艺精度的要求较低。
本发明授权一种半导体器件制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底； 在所述衬底正面形成场氧化层； 对所述衬底背面进行第一预设材料的预扩散处理与推结，形成一定的结深，以在所述衬底的背面形成具有一定载流子浓度梯度的重掺杂区； 在所述衬底背面向所述衬底内部的方向刻蚀形成多个呈阵列排布的孔槽；其中，所述孔槽的深度小于推结深度； 采用第二预设材料将各所述孔槽填充满，得到背面具有填充孔槽的衬底结构，以替代外延片； 其中，所述在所述衬底正面形成场氧化层，包括： 利用氢氧合成的方式在所述衬底的正面和背面均制备所述场氧化层； 去除所述衬底背面的所述场氧化层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人马鞍山市槟城电子有限公司，其通讯地址为：243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区湖西南路2189号5栋1号厂房南面；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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