力晶积成电子制造股份有限公司黄崇仁获国家专利权
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龙图腾网获悉力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利具有高数据频宽的存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116259342B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210092620.7，技术领域涉及：G11C7/12；该发明授权具有高数据频宽的存储器装置是由黄崇仁;陈俊丞设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有高数据频宽的存储器装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有高数据频宽的存储器装置。存储器装置包括至少一存储器芯片以及逻辑芯片。所述至少一存储器芯片各包括一存储器阵列、多个位线以及多个数据路径。所述多个数据路径分别与所述多个位线相对应。所述多个数据路径的数量等于或少于所述多个位线的数量。逻辑芯片的多个数据传输端以一对一方式与所述至少一存储器芯片的所述多个数据路径电连接。所述多个数据传输端的数量等于所述至少一存储器芯片的所述多个数据路径的总数。
本发明授权具有高数据频宽的存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，包括： 至少一存储器芯片，各包括： 基板； 存储器阵列，包括多个动态随机存取存储单元； 第一层间绝缘层，覆盖该基板的第一面以及该些动态随机存取存储单元的多个晶体管； 多个位线，耦接于该存储器阵列，其中该些位线设置于该第一层间绝缘层中； 多个数据路径，分别与该些位线相对应，其中该些数据路径的数量等于或少于该些位线的数量；以及 感测放大器阵列，包括多个感测放大器，其中该些位线分别经由连接路径连接至该些感测放大器中的对应感测放大器的输入端，其中该连接路径包括： 第一通孔，该第一通孔的第一端耦接于该些位线中的该对应位线； 第一连接导线，该第一连接导线的第一端耦接于该第一通孔的第二端；以及 第二通孔，耦接于该第一连接导线的第二端与该对应感测放大器的输入端之间；以及 逻辑芯片，包括： 多个数据传输端，以一对一方式与至少一存储器芯片的该些数据路径电连接， 其中该些数据传输端的数量等于该至少一存储器芯片的该些数据路径的总数，并且 其中该逻辑芯片通过该些数据传输端读取来自于该至少一存储器芯片的多个数据。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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