长江存储科技有限责任公司李昌炫获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利3D NAND闪速存储器的擦除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116312701B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211100545.0，技术领域涉及：G11C16/16；该发明授权3D NAND闪速存储器的擦除方法是由李昌炫;张超;李海波设计研发完成，并于2020-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本3D NAND闪速存储器的擦除方法在说明书摘要公布了：公开了三维3D存储器件的擦除方法的实施方式。3D存储器件包括：垂直地堆叠在衬底之上的多个层级，其中，每个层级包括多个存储器单元。擦除方法包括：检查擦除抑制层级的多个存储器单元的状态，并根据多个存储器单元的状态来准备擦除抑制层级。擦除方法还包括：在阵列公共源极处施加擦除电压，在擦除抑制层级的未选定字线上施加保持‑释放电压，并在目标层级的选定字线上施加低电压。
本发明授权3D NAND闪速存储器的擦除方法在权利要求书中公布了：1.一种三维3D存储器件的擦除方法，所述三维3D存储器件包括：堆叠在衬底上的多个层级，其中，每个层级包括多个存储器单元，所述擦除方法包括： 擦除抑制层级位于待擦除的目标层级和擦除电压施加端之间时，在所述擦除抑制层级的未选定字线上施加准备电压； 在阵列公共源极或位线上施加擦除电压； 在所述擦除抑制层级的所述未选定字线上施加保持-释放电压；以及 在所述待擦除的目标层级的选定字线上施加低电压，其中，所述低电压小于所述擦除电压。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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