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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313781B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310310829.0，技术领域涉及：H10P50/26；该发明授权半导体结构的制作方法是由王辉;钱红云;韩武豪;朱文生设计研发完成，并于2023-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及一种半导体结构的制作方法，包括：提供基底；自第三保护层的顶面刻蚀第三保护层；刻蚀牺牲层、位于标记区的第二掩膜层以及位于阵列区的第三保护层；去除第二保护层；图案化第一保护层和图形转移层；刻蚀衬底。本公开通过去除标记区的部分牺牲层时，同步获得更小的阵列区的剩余牺牲层的暴露面积，使得阵列区和标记区的垂直部分的牺牲层能够被同时去除，达到了阵列区和标记区的第一保护层均能够被暴露的目的，有利于位线耦合和常闭触点覆盖过程的对准。

本发明授权半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括阵列区以及标记区，所述基底具有依次堆叠的图形转移层、第一保护层、第一掩膜层、第二保护层、牺牲层、第二掩膜层以及第三保护层； 其中，所述第一掩膜层具有第一预设图案，所述第一预设图案包括多个第一条形图案，所述第一条形图案沿第一方向间隔排布； 所述第二保护层覆盖所述第一掩膜层的顶面，所述牺牲层覆盖所述第一保护层、所述第一掩膜层以及所述第二保护层，所述第二掩膜层具有第二预设图案，所述第二预设图案包括多个第二条形图案，所述第二条形图案沿所述第一方向间隔排布，每个所述第二条形图案均位于相邻的两个所述第一条形图案之间； 所述第三保护层覆盖所述牺牲层以及所述第二掩膜层，其中，所述标记区的所述第二掩膜层的顶面高于所述阵列区的所述第二掩膜层的顶面； 自所述第三保护层的顶面刻蚀所述第三保护层，直至暴露出所述牺牲层的顶面以及位于所述标记区的所述第二掩膜层的顶面，保留位于所述阵列区的所述第二掩膜层上的部分所述第三保护层； 刻蚀所述牺牲层、位于所述标记区的所述第二掩膜层以及位于所述阵列区的所述第三保护层，直至暴露出所述第二保护层的顶面以及位于所述阵列区的所述第二掩膜层的顶面； 去除所述第二保护层，并自所述牺牲层的顶面刻蚀所述牺牲层，直至暴露出所述第一保护层的顶面； 以所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为掩膜，图案化所述第一保护层和所述图形转移层，以将所述第一预设图案和所述第二预设图案转移至所述图形转移层； 基于图案化之后的所述图形转移层，刻蚀所述基底，得到字线沟槽。

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