长鑫存储技术有限公司李杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体制造工艺的监测方法及监测装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313868B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310296213.2，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权半导体制造工艺的监测方法及监测装置是由李杰设计研发完成，并于2023-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体制造工艺的监测方法及监测装置在说明书摘要公布了：本公开涉及及一种半导体制造工艺的监测方法及监测装置。所述半导体制造工艺监测方法包括如下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括待去除的材料层；获取需要去除的所述材料层的理论质量MT；去除所述材料层；获取已去除的所述材料层的实际质量MR；根据所述实际质量MR与所述理论质量MT监测所述材料层在所述半导体结构中的残留情况。本公开采用非破坏性的方法实现对材料层残留情况的监测，确保了半导体制造工艺的顺利进行。
本发明授权半导体制造工艺的监测方法及监测装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体制造工艺的监测方法，其特征在于， 包括如下步骤： 提供半导体结构，所述半导体结构包括待去除的材料层； 获取需要去除的所述材料层的理论质量MT； 去除所述材料层； 获取已去除的所述材料层的实际质量MR； 根据所述实际质量MR与所述理论质量MT监测所述材料层在所述半导体结构中的残留情况； 所述半导体结构包括衬底，所述材料层位于所述衬底的顶面上； 获取需要去除的所述材料层的理论质量的具体步骤包括： 获取所述材料层在所述衬底的顶面上的投影面积S1、所述材料层的厚度H、以及所述材料层的密度D； 采用如下公式1计算需要去除的所述材料层的理论质量MT： MT＝S1×H×D1。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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