上海华力集成电路制造有限公司胡伟玲获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利去除伪多晶硅栅的刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314026B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310111590.4，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权去除伪多晶硅栅的刻蚀方法是由胡伟玲;裴凯设计研发完成，并于2023-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本去除伪多晶硅栅的刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种去除伪多晶硅栅的刻蚀方法,包括：步骤一、提供完成了第零层层间膜平坦化工艺的半导体衬底，第零层层间膜填充在伪多晶硅栅的间隔区域中,伪多晶硅栅的顶部表面暴露。步骤二、对半导体衬底表面进行预处理以去除表面上的含碳聚合物。步骤三、进行第一次刻蚀以去除伪多晶硅栅，第一次刻蚀的刻蚀气体采用不含碳的氟基气体，以减少或消除由第一次刻蚀产生的第一聚合物缺陷。本发明能改善聚合物缺陷。
本发明授权去除伪多晶硅栅的刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种去除伪多晶硅栅的刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一、提供完成了第零层层间膜平坦化工艺的半导体衬底，所述第零层层间膜填充在伪多晶硅栅的间隔区域中，且所述第零层层间膜的顶部表面和所述伪多晶硅栅的顶部表面相平，使所述伪多晶硅栅的顶部表面暴露； 步骤二、对所述半导体衬底表面进行预处理，所述预处理去除所述第零层层间膜和所述伪多晶硅栅的表面上的含碳聚合物； 步骤三、进行第一次刻蚀以去除所述伪多晶硅栅并在所述伪多晶硅栅去除区域形成栅极沟槽，所述第一次刻蚀的刻蚀气体采用不含碳的氟基气体，以减少或消除由所述第一次刻蚀产生的第一聚合物缺陷。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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