长江存储科技有限责任公司王迪获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器装置的接触部结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116322057B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310385087.8，技术领域涉及：H10B41/41；该发明授权三维存储器装置的接触部结构及其形成方法是由王迪;张中;周文犀设计研发完成，并于2021-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器装置的接触部结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开内容描述了一种三维3D存储器装置，包括设置在半导体层上的第一存储器阵列和第二存储器阵列。3D存储器装置还可包括设置在第一存储器阵列与第二存储器阵列之间的阶梯结构。阶梯结构包括第一阶梯区域和第二阶梯区域。第一阶梯区域包括第一阶梯结构，该第一阶梯结构包含在第一方向上下降的第一多个梯级。第二阶梯区域包括第二阶梯结构，该第二阶梯结构包含在第二方向上下降的第二多个梯级。3D存储器装置还可包括设置在第一阶梯区域与第二阶梯区域之间的接触部区域。接触部区域包括延伸穿过绝缘层并进入半导体层中的多个接触部。
本发明授权三维存储器装置的接触部结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种三维3D存储器装置，包括： 设置在半导体层上的第一存储器阵列和第二存储器阵列； 设置在所述第一存储器阵列与所述第二存储器阵列之间的阶梯结构，所述阶梯结构包括第一阶梯区域和第二阶梯区域； 所述第一阶梯区域包括第一阶梯结构，其中，所述第一阶梯结构包括在第一方向上下降的第一多个梯级； 所述第二阶梯区域包括第二阶梯结构，其中，所述第二阶梯结构包括在第二方向上下降的第二多个梯级； 连接器结构，设置在所述第一存储器阵列与所述第二存储器阵列之间，所述阶梯结构的至少一个梯级通过所述连接器结构连接到所述第一存储器阵列和第二存储器阵列中的至少一个；以及 接触部区域，设置在所述第一存储器阵列与所述第二存储器阵列之间，所述接触部区域的延伸方向和所述连接器结构的延伸方向相同； 其中，所述接触部区域包括绝缘层和接触部； 所述接触部延伸穿过所述绝缘层并进入所述半导体层中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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