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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种用于SiC MOSFET高场强应力可靠性测试的脉冲源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116466116B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310421159.X，技术领域涉及：G01R1/28；该发明授权一种用于SiC MOSFET高场强应力可靠性测试的脉冲源是由罗皓泽;左璐巍;蒙慧;吴强;严辉强;李武华设计研发完成，并于2023-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于SiC MOSFET高场强应力可靠性测试的脉冲源在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于SiCMOSFET高场强应力可靠性测试的脉冲源，包括主开关电路、高压模块、驱动电路和辅助电源；所述主开关电路分别与高压模块和驱动电路连接，所述驱动电路与辅助电源连接；所述高压模块为主开关电路提供足够功率的高压；所述辅助电源用于向驱动电路提供各类所需电压；所述驱动电路为主开关电路提供足够功率的栅极驱动信号；所述主开关电路承受所述高压模块输出的高压，根据所述驱动电路输出的栅极驱动信号进行开关动作，输出指定的高压脉冲波形。本发明可以为SiCMOSFET高场强应力可靠性测试施加高达数千伏，且电压变化率大的漏源电压，而且电压脉冲波形可控，具有体积小、高耐压驱动简单、高功率密度的优点。

本发明授权一种用于SiC MOSFET高场强应力可靠性测试的脉冲源在权利要求书中公布了：1.一种用于SiCMOSFET高场强应力可靠性测试的脉冲源，其特征在于：包括主开关电路、高压模块、驱动电路和辅助电源；所述主开关电路分别与高压模块和驱动电路连接，所述驱动电路与辅助电源连接；所述高压模块为主开关电路提供足够功率的高压；所述辅助电源用于向驱动电路提供各类所需电压；所述驱动电路为主开关电路提供足够功率的栅极驱动信号；所述主开关电路承受所述高压模块输出的高压，根据所述驱动电路输出的栅极驱动信号进行开关动作，输出指定的高压脉冲波形； 所述高压模块包括第一低压电源、稳压管D1、电解电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、共模电感L1和电压转换器U1；所述第一低压电源正极与稳压管D1的阳极、电解电容C1的正极、电容C2的一端、共模电感L1同名端的一端相连；所述第一低压电源的负极与稳压管D1阴极、电解电容C1负极、电容C2的另一端、共模电感L1同名端的另一端相连；所述共模电感L1的另一组同名端的一端与电容C3的一端以及电压转换器U1输入端的一端相连；所述共模电感L1的另一组同名端的另一端与电容C3的另一端以及电压转换器U1输入端的另一端相连；所述电压转换器U1输出端的一端与C4的一端相连，标记为HV；所述电压转换器U1输出端的另一端与C4的另一端相连，标记为HGND。

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