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龙图腾网获悉浙江英洛华磁业有限公司申请的专利一种边角强化的R-T-B稀土永磁体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116469635B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310429988.2，技术领域涉及：H01F1/057；该发明授权一种边角强化的R-T-B稀土永磁体及其制备方法是由陈彪;付松;吴朗靖;杨晓露;章兆能;王从艺设计研发完成，并于2023-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种边角强化的R-T-B稀土永磁体及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种边角强化的R‑T‑B稀土永磁体及其制备方法，将磁体扩散源涂覆面分为边角区和非边角区，磁体的边角区涂覆含量Zr、Ti或Nb元素的扩散源，而磁体非边角区则涂覆不含上述元素的重稀土元素扩散源。在晶界扩散过程中，Zr、Ti或Nb元素扩散到磁体的晶界富R相中，通过固溶或生成第二相析出物的方式强化磁体的晶界富R相，从而提高磁体边角的强度。本发明通过分区晶界扩散的方式提高磁体边角区的力学性能而不影响磁体的非边角区，能够在不降低磁体磁性能的情况下显著降低磁体在运输和装配过程中的缺边掉角率，对于降低钕铁硼产品的成本具有重要意义。

本发明授权一种边角强化的R-T-B稀土永磁体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种边角强化的R-T-B稀土永磁体，其特征在于所述磁体包括以下质量分数的成分： R：28.5~34.0wt.%，R由RL和RH组成，RH含量为磁体质量的0.1wt.%~10.0wt.%，RH为Dy、Tb、Ho中的至少一种；R的余量为RL，RL表示从Nd、Pr、La、Ce、Er、Gd、Sm、Tm、Lu、Y中选出的至少含有轻稀土元素的一种或多种元素；所述轻稀土元素为La、Ce、Pr、Nd中的一种或多种； B：0.85~1.1wt.%， MX：0.01~8.0wt.%，MX表示从Al、Cu、Ga、Ni、Zn、Sn、Mn、Cr、Zr、Ti、Nb中选出的至少含有M和X的多种元素，X为Zr、Ti、Nb中的一种或多种；M为Al、Ga、Cu中的一种或多种； 余量为T及其他不可避免杂质，T为Fe或Fe和Co； 所述磁体存在至少一个表面A，所述表面A的边角区的轻稀土元素含量不低于表面A平均轻稀土含量；所述轻稀土元素为La、Ce、Pr、Nd中的一种或多种；且表面A的边角区含有X，X为Zr、Ti、Nb中的一种或多种； 所述磁体距表面A垂直距离为0.6mm的深度范围内，边角体区域的X含量为0.05~1.2wt.%；所述磁体的平均X含量为0.05~0.8wt.%； 所述边角区是指距离磁体边线0~Kmm宽度范围内的表面区域，K为边角区域宽度，K的范围为0.2~0.6，非边角区是指距离边线Kmm宽度范围以外的表面区域； 所述边角体区域为边角区与距表面A垂直距离为0.6mm深度所围成的体区域；磁体的非边角体区域中不含X，或非边角体区域中的X含量低于磁体边角体区域的X含量；所述非边角体区域为边角体区域以外的磁体区域； 所述表面A为垂直于与磁体取向方向的两个表面。

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