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龙图腾网获悉香港大学申请的专利激光干涉光刻设备和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116472496B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180073877.1，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权激光干涉光刻设备和方法是由李文迪;甘斫非;闵思怡设计研发完成，并于2021-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本激光干涉光刻设备和方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种激光干涉光刻方法，包括：对涂覆有光刻胶的晶片执行干涉曝光；以及对经干涉曝光的晶片执行图案化泛曝光，其中执行泛曝光包括：确定在所述经干涉曝光的晶片中的第一光场分布；基于所述第一光场分布、预期的图案分布和用于所述泛曝光的泛光光源的参数，确定所述泛光光源的光场分布，作为第二光场分布；以及基于所述第二光场分布，对所述泛光光源的光场分布进行图案化，并控制具有经图案化的光场分布的所述泛光光源对经干涉曝光的晶片进行泛曝光，从而在经泛曝光的晶片中形成所述预期的图案分布。

本发明授权激光干涉光刻设备和方法在权利要求书中公布了：1.一种激光干涉光刻设备，包括： 双光束或多光束激光干涉光刻设备，被配置为对涂覆有光刻胶的晶片进行干涉曝光； 泛光光源，具有可被图案化的光场分布，并被配置为对经干涉曝光的晶片进行图案化泛曝光，从而对干涉曝光进行补偿；以及 控制器，被配置为： -确定在经干涉曝光的晶片中的第一光场分布； -基于所述第一光场分布、预期的图案分布和所述泛光光源的参数，确定所述泛光光源的光场分布，作为第二光场分布；以及 -基于所述第二光场分布，对所述泛光光源的光场分布进行图案化，并控制具有经图案化的光场分布的所述泛光光源对经干涉曝光的晶片进行图案化泛曝光，从而在经泛曝光的晶片中形成所述预期的图案分布， 其中，所述泛光光源还包括光场图案化模块，以及 其中，所述控制器还被配置为经由所述光场图案化模块对所述泛光光源的光场分布进行图案化，以具有所述第二光场分布， 其中，所述双光束或多光束激光干涉光刻设备包括： -激光光源，被配置为发射高相干性的紫外近紫外单频光； -输入耦合光纤，被配置为将来自所述激光光源的紫外近紫外单频光耦合至光纤分束器；以及 -光纤分束器，被配置为将来自所述输入耦合光纤的光分为至少两个子激光束，并通过输出耦合光纤输出所述至少两个子激光束，以对所述晶片进行干涉曝光。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人香港大学，其通讯地址为：中国香港薄扶林道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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