苏州华太电子技术股份有限公司岳丹诚获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州华太电子技术股份有限公司申请的专利鳍式场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116504632B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210561549.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权鳍式场效应晶体管及其制备方法是由岳丹诚设计研发完成，并于2022-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本鳍式场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种鳍式场效应晶体管及其制备方法。所述制备方法包括将第一晶圆表层的SiC热氧化形成第一氧化物层，将第二晶圆表层的硅热氧化形成第二氧化物层，并将第一氧化物层与第二氧化物层结合而形成SOI结构；除去位于所述SOI结构表面的选定区域之外的第二晶圆、第二氧化物层、第一氧化物层，从而形成凸起的鳍式结构，余留在所述鳍式结构和第一晶圆之间的第一氧化物层和第二氧化物层形成埋氧化层；制作栅极，且使所述栅极至少覆盖所述鳍式结构的顶部和两个侧壁，图形化定义源、漏区域，对所述源、漏区域进行掺杂并退火形成源极、漏极。本发明提供的制备方法，鳍式结构下方的埋氧化层阻止了电流泄放通路，降低了静态功耗，且减小了寄生电容。
本发明授权鳍式场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种鳍式场效应晶体管的制备方法，其特征在于包括： 将第一晶圆表层的SiC热氧化形成第一氧化物层，将第二晶圆表层的硅热氧化形成第二氧化物层，并将第一氧化物层与第二氧化物层结合而形成SOI结构,所述第一晶圆为碳化硅晶圆，所述第二晶圆为硅晶圆，所述第一氧化物层和第二氧化物层均为氧化硅层； 除去位于所述SOI结构表面的选定区域之外的第二晶圆、第二氧化物层、第一氧化物层，直至暴露所述第一晶圆，从而使选定区域余留的第二晶圆形成凸起的鳍式结构，余留在所述鳍式结构和第一晶圆之间的第一氧化物层和第二氧化物层形成埋氧化层； 制作栅极，且使所述栅极至少覆盖所述鳍式结构的顶部和两个侧壁， 图形化定义源、漏区域，对所述源、漏区域进行掺杂并退火形成源极、漏极。
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