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龙图腾网获悉山东省科学院激光研究所申请的专利一种长波长VCSEL的制备方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116526291B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310484180.4，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种长波长VCSEL的制备方法及结构是由唐先胜;韩丽丽;王兆伟;宫卫华;张伟;翟瑞占;贾中青设计研发完成，并于2023-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种长波长VCSEL的制备方法及结构在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件领域，提供了一种长波长VCSEL的制备方法，包括：在N‑InP衬底上，依次层叠生长N‑InP缓冲层、底DBR结构和N‑InP空间层，形成第一外延片；取出第一外延片，以光刻胶为掩膜，利用离子注入技术，向N‑InP空间层注入H离子，进而钝化部分N‑InP空间层，形成钝化区，未被钝化的N‑InP空间层形成发光区；去除掩膜，得到第二外延片；对第二外延片退火处理，以及清洗表面；在第二外延片的N‑InP空间层上依次层叠生长P‑InAlAs空间层、量子阱区、N‑InAlAs空间层和顶DBR结构，形成第三外延片；利用常规光电器件制备方法，制备第三外延片得到长波长VCSEL器件。工艺简单。

本发明授权一种长波长VCSEL的制备方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种长波长VCSEL的制备方法，其特征在于，方法包括： 在预置的N-InP衬底上，依次层叠生长N-InP缓冲层、底DBR结构和N-InP空间层，形成第一外延片； 取出所述第一外延片，以光刻胶为掩膜，利用离子注入技术，向所述N-InP空间层注入H离子，进而钝化部分所述N-InP空间层，形成钝化区，未被钝化的所述N-InP空间层形成发光区； 去除所述掩膜，得到第二外延片； 对所述第二外延片退火处理，以及清洗表面； 在所述第二外延片的所述N-InP空间层上依次层叠生长P-InAlAs空间层、量子阱区、N-InAlAs空间层和顶DBR结构，形成第三外延片； 利用常规光电器件制备方法，在所述第三外延片上刻蚀沟槽，以及在所述第三外延片的顶部制作上电极，所述第三外延片的底部制作下电极，得到长波长VCSEL器件； 所述N-InP空间层包括钝化区，以及重掺杂的N+-InP和P+-InP； 所述以光刻胶为掩膜，利用离子注入技术，向所述N-InP空间层注入H离子，以及钝化部分所述N-InP空间层，包括： 在底DBR结构上依次层叠生长所述重掺杂的N+-InP和P+-InP，以便在所述底DBR结构上形成隧道结层； 在P+-InP上涂抹所述光刻胶，依据所述掩膜，照射所述光刻胶，使所述N+-InP和所述P+-InP钝化，形成钝化区，其中，除所述钝化区外的所述N+-InP和所述P+-InP形成发光区； 所述取出所述第一外延片之前，包括： 利用光刻技术，将所述第一外延片制备成直径为10～100um的圆形。

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