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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种减小AlN晶体加工时切割应力的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116551866B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310513438.9，技术领域涉及：B28D5/04；该发明授权一种减小AlN晶体加工时切割应力的方法是由张雷;曹文豪;王国栋;王守志;俞娇仙;刘光霞;徐现刚设计研发完成，并于2023-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种减小AlN晶体加工时切割应力的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及氮化铝晶体生长加工领域，具体涉及一种减小AlN晶体加工时切割应力的方法。所述方法为：将作为缓冲层的中空圆柱体和AlN晶体均通过石蜡粘接到金属板上；然后向中空圆柱体内灌注胶水，使胶水完全包裹晶体；胶水凝固后，将金属板底部加热，石蜡融化后金属板脱落，得到待切割样品；对样品进行切割和边部修整，得到规整的AlN晶圆。本发明通过在AlN晶体外侧设置缓冲层来避免应力对晶体造成损伤；当切割线与晶体接触时产生高强应力，缓冲层能够逐渐将应力释放，并将应力逐渐过渡到晶体上，能够简单有效地保护晶体，防止晶体开裂，有利于切割出完整的AlN晶圆；缓冲层避免了切割线与晶体的直接接触，降低了切割线断线的概率，使得切割高效进行。

本发明授权一种减小AlN晶体加工时切割应力的方法在权利要求书中公布了：1.一种减小AlN晶体加工时切割应力的方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：选取竖直放置的中空圆柱体，将AlN晶体置于所述中空圆柱体中心位置，所述AlN晶体高度小于所述中空圆柱体高度；然后将所述中空圆柱体底部和AlN晶体均通过石蜡粘接到金属板上； S2：向步骤S1的中空圆柱体内灌注胶水，使胶水完全包裹晶体；胶水凝固后，将金属板底部加热，石蜡融化后金属板脱落，得到待切割样品，所述中空圆柱体的莫氏硬度比所述胶水凝固后的莫氏硬度小2-3； S3：将步骤S2的待切割样品横向置于切割机上，沿纵剖面进行切割，得到边部带有缓冲层的AlN晶片；具体操作步骤为： 由上至下将所述纵剖面分为入刀区、中间区和出刀区，三者的最大高度相同，AlN晶体至少位于入刀区和中间区；所述入刀区、中间区、出刀区的进给速度分别为5-6mmh、7-8mmh、10mmh； S4：将步骤S3的边部带有缓冲层的AlN晶片进行边部修整，得到规整的AlN晶圆； 步骤S1中，所述中空圆柱体的内径与AlN晶体最大外径之间的比值为1211-65。

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