湖北江城芯片中试服务有限公司肖冲获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉湖北江城芯片中试服务有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法和半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116598318B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310537615.7，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权一种半导体结构的制备方法和半导体结构是由肖冲设计研发完成，并于2023-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法和半导体结构在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法和半导体结构，该方法包括：提供衬底；于衬底上形成至少一个栅极结构；于栅极结构的顶面平面上形成源漏结构；形成隔离结构，隔离结构用于隔离至少一个源漏结构并隔离至少一个栅极结构；于源漏结构上形成电极连接结构。这样，本公开实施例将栅极结构置于源漏结构的下方，能够有效降低衬底对源漏结构的影响，并减小电极连接结构和栅极结构之间的寄生电容，还可以降低工艺难度，最终提升半导体结构的性能。
本发明授权一种半导体结构的制备方法和半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底； 于所述衬底上形成至少一个栅极结构，包括：于所述衬底上形成初始栅极层；对所述初始栅极层进行图案化处理，形成至少一个所述栅极结构和隔离沟槽；于所述隔离沟槽内形成栅极隔离结构； 于所述栅极结构的顶面平面上形成源漏结构，包括：于所述栅极结构和所述栅极隔离结构上形成有源层；对所述有源层进行掺杂处理，分别形成沟道、源极和漏极；其中，相邻晶体管的所述源极和或所述漏极相互连接；所述沟道、所述源极和所述漏极组成所述源漏结构； 形成隔离结构，包括：于所述有源层和所述栅极隔离结构内形成所述隔离结构；所述隔离结构用于将不同晶体管的所述源极和所述漏极分隔开；所述隔离结构还用于隔离至少一个所述源漏结构并隔离至少一个所述栅极结构； 于所述源漏结构上形成电极连接结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北江城芯片中试服务有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼3号(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励