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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种相关双采样电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116634297B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310568351.1，技术领域涉及：H04N25/772；该发明授权一种相关双采样电路是由刘伟峰;余志宝;高少航;温裕雄设计研发完成，并于2023-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种相关双采样电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种相关双采样电路，包括信号采样电路和信号输出电路；其中，信号采样电路通过控制开关的通和断，分别对前级电路复位阶段和积分阶段的信号进行采样，利用电容上电荷不会发生突变的特性，实现复位信号和积分信号的相减运算，消除前级电路输出信号中的低频噪声、KTC噪声以及FPN噪声；信号输出电路对于降噪后有效信号的输出，通过一个接地开关、一个接基准电压开关和一个电容组成的电路，同样利用电容电荷不会发生突变的特性，将有效信号输出。该电路实现了相关双采样电路降噪的功能和降噪后有效信号的准确输出，提高输出信号的信噪比；同时还可以简化电路，减小整体电路的功耗、面积、噪声。

本发明授权一种相关双采样电路在权利要求书中公布了：1.一种相关双采样电路，其特征在于，包括信号采样电路和信号输出电路； 所述信号采样电路用于采集前级积分放大电路输出的复位信号或者积分信号，其包括第一采样开关TG1、第二采样开关TG2、第一采样电容C1、第二采样电容C2、第一MOS开关MN1、第二MOS开关MN2；所述第一采样开关TG1和所述第二采样开关TG2均为采用传输门结构的模拟开关； 其中，所述第一采样开关TG1和所述第二采样开关TG2的一端共同连接前级积分放大电路的输出端，所述第一采样开关TG1的另一端连接所述第二采样电容C2的上极板，所述第二采样开关TG2的另一端连接所述第一采样电容C1的上极板和所述第一MOS开关MN1的源极；所述第一采样电容C1和所述第二采样电容C2的下极板共同连接至所述第二MOS开关MN2的漏极；所述第一MOS开关MN1的漏极和所述第二MOS开关MN2的源极接地； 所述信号输出电路包括保持电容C3、第三MOS开关MN3、第四MOS开关MN4； 其中，所述保持电容C3的左极板连接所述第一采样开关TG1和所述第二采样电容C2的公共端以及所述第三MOS开关MN3的漏极；所述保持电容C3的右极板连接所述第四MOS开关MN4的漏极；所述第三MOS开关MN3的源极接地，所述第四MOS开关MN4的源极连接基准电压端； 所述保持电容C3和所述第四MOS开关MN4的公共端作为整个相关双采样电路的输出端输出电压VOUT。

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