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龙图腾网获悉中山吉联光电科技有限公司;长春理工大学中山研究院申请的专利一种宽带超低减反射膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116661026B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310653220.3，技术领域涉及：G02B1/11；该发明授权一种宽带超低减反射膜及其制备方法是由付秀华;魏雨君;陈琦;董所涛;林兆文;王奔;潘永刚设计研发完成，并于2023-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽带超低减反射膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种宽带超低减反射膜及其制备方法，涉及光学薄膜技术领域，包括：S1、将基板放入真空室内，对真空室抽真空，当真空度为1×10‑1～5×10‑2Pa时，对基板进行烘烤，烘烤温度为220～300℃，烘烤时间不少于1小时；S2、当真空度达到6×10‑4～9×10‑4Pa时，采用离子源对基板进行预清洁；S3、开启挡板前将SiO2膜料和Ti3O5膜料预熔至蒸发状态，打开挡板后在预清洁后的基板上利用SiO2膜料和Ti3O5膜料交替镀膜；S4、开启挡板前将MgF2膜料和最后一层SiO2膜料预熔至蒸发状态，打开挡板后在前层材料上进行MgF2膜料的镀膜，然后加镀SiO2膜料，得到宽带超低减反射膜。

本发明授权一种宽带超低减反射膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种宽带超低减反射膜的制备方法，其特征在于，包括： S1、将基板放入真空室内，对真空室抽真空，当真空度为1×10-1～5×10-2Pa时，对基板进行烘烤，烘烤温度为220～300℃，烘烤时间不少于1小时； S2、当真空度达到6×10-4～9×10-4Pa时，采用离子源对基板进行预清洁； S3、开启挡板前将SiO2膜料和Ti3O5膜料预熔至蒸发状态，打开挡板后在预清洁后的基板上利用SiO2膜料和Ti3O5膜料交替镀膜； S4、开启挡板前将MgF2膜料和最后一层SiO2膜料预熔至蒸发状态，打开挡板后在前层材料上进行MgF2膜料的镀膜，然后加镀SiO2膜料，制备得到宽带超低减反射膜； 在S4步骤中，MgF2膜料的预熔及镀膜过程，包括： 将电子枪束流从0逐渐增加到20～40毫安，上升时间为20秒，保持时间为20秒； 将电子枪束流从20～40毫安逐渐降低到10～20毫安，降低时间为5秒，保持时间20秒形成蒸汽分子； 预熔完成后打开挡板，让蒸汽分子附着在前层材料上，蒸汽分子的蒸发速率设定为4～5AS，镀膜完成后真空保持15～25分钟后，对真空室放气，取出镀膜后镜片进行测试；在S4步骤中，SiO2膜料的镀膜过程，包括： 在MgF2膜料之外加镀SiO2膜料形成一层极薄层，厚度控制在3nm～5nm； 所述宽带超低减反射膜的结构为： 第一层为SiO2，厚度为172.65nm； 第二层为薄层Ti3O5，厚度为14.95nm； 第三层为SiO2，厚度为30.41nm； 第四层为Ti3O5，厚度为68.96nm； 第五层为薄层SiO2，厚度为13.19nm； 第六层为Ti3O5，厚度为29.85nm； 第七层为SiO2，厚度为102.72nm； 第八层为薄层Ti3O5，厚度为8.69nm； 第九层为SiO2，厚度为56.06nm； 第十层为Ti3O5，厚度为67.26nm； 第十一层为薄层SiO2，厚度为8nm； 第十二层为Ti3O5，厚度为39.33nm； 第十三层为MgF2，厚度为86.77nm； 第十四层为保护层SiO2，厚度为4nm。

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