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龙图腾网获悉武汉柔显科技股份有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司申请的专利聚酰亚胺前体及其制备方法、聚酰亚胺膜及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116715851B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310773292.1，技术领域涉及：C08G73/10；该发明授权聚酰亚胺前体及其制备方法、聚酰亚胺膜及其应用是由付华;肖桂林;鲁丽平;阮敏;康靖;朱双全设计研发完成，并于2023-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本聚酰亚胺前体及其制备方法、聚酰亚胺膜及其应用在说明书摘要公布了：为改善AMOLED显示品质，本发明通过聚酰亚胺材料来解决残像问题。本发明公开了一种聚酰亚胺前体，聚酰亚胺前体由二胺单体和二酐单体制备而成，本发明通过在二胺单体中引入0.1～6mol％的含氟二胺单体，在二酐单体中引入0～4mol％的含氟二酐单体，来降低聚酰亚胺前体固化后的介电常数；同时本发明公开了一种聚酰亚胺前体的制备方法，该方法通过控制反应体系的含水量进行高温水解反应，以达到控制胺基为端部和羧基为端部的比例，从而达到调节聚酰亚胺前体浆料粘度的效果。在含氟反应原料和高温水解反应结合的情况下，使聚酰亚胺前体浆料的粘度更为可控，聚酰亚胺薄膜的介电常数更低，膨胀系数更小，从而达到更好的改善残像的效果。

本发明授权聚酰亚胺前体及其制备方法、聚酰亚胺膜及其应用在权利要求书中公布了：1.一种聚酰亚胺前体，由二胺单体和二酐单体制备而成，其特征在于，还包括含氟二胺单体和含氟二酐单体； 相对于所述二胺单体的100mol％，所述含氟二胺单体占比0.1～6mol％； 相对于所述二酐单体的100mol％，所述含氟二酐单体占比0～4mol％； 所述含氟二胺单体和所述含氟二酐单体总占比0.1～8mol％； 所述聚酰亚胺前体具有下述式1所示的端部结构占比0～40％，具有下述式2所示的端部结构占比60～100％，所述式2所示的端部结构通过水解反应而得，所述水解反应的反应体系含水量为0.1～0.3wt％，通过控制反应体系的含水量进行水解反应，控制式1和式2结构的含量； 其中，X代表碳原子数为4～40的二酐残基，Y代表碳原子数为6～40的具有芳香族环的二胺残基，*表示键接的位置； 所述水解反应在水解前加入的二胺单体和二酐单体反应完全后加入纯水进行； 所述聚酰亚胺前体还包括添加剂，所述添加剂为柠檬酸、马来酰胺酸中的至少一种，所述添加剂占比所述二胺单体的0.01～0.1mol％； 所述聚酰亚胺前体的溶液粘度为3000～7000CP，所述聚酰亚胺前体制备得到的聚酰亚胺薄膜的介电常数为2.5～3.0，所述聚酰亚胺前体制备得到的聚酰亚胺薄膜的热膨胀系数为8～15ppmK。

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