艾感科技(广东)有限公司宋志龙获国家专利权
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龙图腾网获悉艾感科技(广东)有限公司申请的专利一种基于双通多孔基底的半导体气体传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116718643B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310374892.0，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种基于双通多孔基底的半导体气体传感器是由宋志龙;周清峰;万竹桉;朱广森设计研发完成，并于2023-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于双通多孔基底的半导体气体传感器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于双通多孔基底的半导体气体传感器，其至少包括：第一电极，在通电的状态下用于传导感测反应时的电学变化；第二电极，用于配合第一电极形成电流通路；传感层，由表面沉积有用于检测气体的气敏材料的双通多孔基底组成，双通多孔基底由多个纳米管阵列形成。第一电极和第二电极按照第三方向上交叉不叠加的方式分别交错设置在传感层两侧，使得传感层上的纳米管至少一个管口能够与外部保持联通。本发明对感测电极进行改进，避免了由于感测电极布置时会覆盖纳米孔导致部分纳米孔无法进行气体检测的现象，提高了半导体气体传感器的检测效率。
本发明授权一种基于双通多孔基底的半导体气体传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于双通多孔基底的半导体气体传感器，包括： 第一电极1，在通电的状态下用于传导感测反应时的电学变化； 第二电极8，用于配合所述第一电极1形成电流通路； 传感层2，由表面沉积有用于检测气体的气敏材料的双通多孔基底组成，所述双通多孔基底由多个纳米管阵列形成， 其特征在于，所述第一电极1和所述第二电极8按照第三方向上交叉不叠加的方式分别交错设置在所述传感层2两侧，使得所述传感层2的纳米管至少一个管口能够与外部保持联通； 所述第一电极1和所述第二电极8至少与所述传感层2连接处的接触部分设置有导电薄膜9，所述导电薄膜9能够在连接处形成相较于未设置所述导电薄膜9接触势垒宽度减小，易于电子遂穿的势垒，使得经由所述第一电极1和所述第二电极8传导的电学性质变化来自于所述传感层2发生感测反应时的电学性质变化。
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