山西阳光三极科技股份有限公司李晓方获国家专利权
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龙图腾网获悉山西阳光三极科技股份有限公司申请的专利一种基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116754065B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310784908.5，技术领域涉及：G01H11/08；该发明授权一种基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构是由李晓方;王强;臧俊斌设计研发完成，并于2023-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构在说明书摘要公布了：本发明涉及声波探测技术领域，具体涉及一种基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构，包括腔体、压电陶瓷薄膜、正电极、负电极，压电陶瓷薄膜设置在腔体的开口上，压电陶瓷薄膜与腔体的开口端固定连接。压电陶瓷薄膜上设有半通孔，半通孔的个数为多个，正电极设置在压电陶瓷薄膜的外表面，负电极设置在压电陶瓷薄膜的内表面，压电陶瓷薄膜的材料为锆钛酸铅。本发明具有更高的灵敏度，且低频响应性能更好，在声波探测技术领域具有良好的应用前景。
本发明授权一种基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构在权利要求书中公布了：1.一种基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构，包括腔体、压电陶瓷薄膜、正电极、负电极，所述压电陶瓷薄膜设置在所述腔体的开口上，所述压电陶瓷薄膜与所述腔体的开口端固定连接，其特征在于：所述压电陶瓷薄膜上设有半通孔，所述半通孔的个数为多个，所述正电极设置在所述压电陶瓷薄膜的外表面，所述负电极设置在所述压电陶瓷薄膜的内表面，所述压电陶瓷薄膜的材料为锆钛酸铅。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山西阳光三极科技股份有限公司，其通讯地址为：030000 山西省太原市山西综改示范区太原潇河园区大昌路69号1幢11层山西综改示范区太原唐槐园区武洛街6号5层(自主申报)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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