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龙图腾网获悉安华高科技股份有限公司申请的专利具有边缘完整性检测结构的半导体产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116798894B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310261370.X，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权具有边缘完整性检测结构的半导体产品是由李晓明;曹力明;A·布罗特曼设计研发完成，并于2023-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有边缘完整性检测结构的半导体产品在说明书摘要公布了：本申请案的实施例涉及具有边缘完整性检测结构的半导体产品。一种半导体产品包括：半导体芯片；边缘完整性检测结构，其沿着所述半导体芯片的边缘的至少部分延伸；以及评估电路系统，其形成于所述半导体芯片中及或上，与所述边缘完整性检测结构电连接且经配置以评估所述边缘完整性检测结构的电特性以提供指示所述边缘的检测到的边缘完整性状态的评估信号。

本发明授权具有边缘完整性检测结构的半导体产品在权利要求书中公布了：1.一种半导体产品，其包括： 半导体芯片； 边缘完整性检测结构，其沿着所述半导体芯片的边缘的至少部分延伸， 所述边缘完整性检测结构包括导电层的堆叠，其中所述堆叠具有第一横向侧和与所述第一横向侧相对的第二横向侧， 其中所述导电层的第一层从所述第一层的与所述第一横向侧相关联的第一端延伸到所述第一层的与所述第二横向侧相关联的第二端且通过在所述堆叠的所述第一层的所述第一端处的第一垂直连接元件耦合到所述堆叠的第二层， 其中所述第二层从所述第二层的与所述第一横向侧相关联的第一端延伸到所述第二层的与所述第二横向侧相关联的第二端， 其中所述导电层的第三层从所述第三层的与所述第一横向侧相关联的第一端延伸到所述第三层的与所述第二横向侧相关联的第二端且通过在所述堆叠的所述第三层的所述第二端处的第二垂直连接元件耦合到所述堆叠的所述第二层， 其中所述导电层的第四层从所述第四层的与所述第一横向侧相关联的第一端延伸到所述第四层的与所述第二横向侧相关联的第二端且通过在所述堆叠的所述第四层的所述第一端处的第三垂直连接元件耦合到所述堆叠的所述第三层， 其中在所述第三层的所述第一端处所述第二层没有耦合到所述第三层， 其中所述第一层的所述第一端与所述第一层的所述第二端相对，所述第二层的所述第一端与所述第二层的所述第二端相对，所述第三层的所述第一端与所述第三层的所述第二端相对，且所述第四层的所述第一端与所述第四层的所述第二端相对；以及 电路系统，其形成于所述半导体芯片中及或上，与所述边缘完整性检测结构电连接且经配置以评估所述边缘完整性检测结构的电特性以提供指示所述边缘的完整性状态的信号。

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