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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116799036B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310691457.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法是由袁俊;郭飞;王宽;徐少东;彭若诗设计研发完成，并于2023-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法，上述的宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构包括：基底、P阱区、源极N+区、P+掩蔽层、N+导流层及栅极；P阱区和源极N+区依次设于基底上；P+掩蔽层设于基底的上部，且被基底包裹；N+导流层沿第一方向设于P+掩蔽层中；栅极沿第一方向嵌设于基底的上部、P阱区和源极N+区，栅极的底部与P+掩蔽层和N+导流层的上端部接触。该宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构具有如下优点：通过在栅极下方构造P+掩蔽层，可以有效降低槽角处的电场；在P+掩蔽层中构造N+导流层，可以进一步扩展电流的通路，降低导通电阻，从而能够有效提高器件性能的稳定性和可靠性。

本发明授权宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构，其特征在于，包括：基底、P阱区、源极N+区、P+掩蔽层、N+导流层及栅极； 所述P阱区和所述源极N+区依次设于所述基底上； 所述P+掩蔽层设于所述基底的上部，且被所述基底包裹； 所述N+导流层沿第一方向设于所述P+掩蔽层中； 所述栅极沿所述第一方向嵌设于所述基底的上部、所述P阱区和所述源极N+区，所述栅极的底部与所述P+掩蔽层和所述N+导流层的上端部接触； 所述栅极包括：栅极介质层、栅极硅和栅极沟槽； 所述栅极沟槽呈U形状，沿所述第一方向延伸设置； 所述栅极介质层设于所述栅极沟槽内壁侧；所述栅极硅填充于所述栅极沟槽的中部，且与所述栅极介质层接触； 所述N+导流层填充于所述P+掩蔽层中，以使所述P+掩蔽层的横截面呈U形结构； 所述P+掩蔽层和所述N+导流层的上表面与所述栅极沟槽的下表面接触设置； 所述P+掩蔽层包括多个P+掩蔽区； 多个所述P+掩蔽区沿所述第一方向依次间隔布置，所述N+导流层穿设于多个所述P+掩蔽区。

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