福建省晋华集成电路有限公司童宇诚获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116801613B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310035716.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制作方法是由童宇诚;张钦福设计研发完成，并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体器件及其制作方法，包括衬底、电容结构、以及支撑结构。电容结构设置在衬底上，并包括多个柱状底电极、电容电介质层与顶电极层，其中，各柱状底电极的顶部具有凹槽，电容电介质层填满凹槽。支撑结构设置在相邻的柱状底电极之间，包括由下而上依序设置的第一支撑层与第二支撑层。如此，通过电容电介质层能强化柱状底电极与电介质材质之间的附着性，使得半导体器件得以具有更为稳定而可靠的结构，并达到相对优化的器件效能。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于包括： 衬底； 电容结构，设置在所述衬底上，所述电容结构包括多个柱状底电极、电容电介质层、以及顶电极层，其中，各所述柱状底电极的顶部具有一凹槽，所述电容电介质层填满所述凹槽； 高介电系数电介质层，设置在各所述柱状底电极的两相对侧壁上；所述凹槽夹设在所述高介电系数电介质层与各所述柱状底电极之间，所述电容电介质层覆盖所述高介电系数电介质层；以及 支撑结构，设置在相邻的所述柱状底电极之间，所述支撑结构包括由下而上依序设置的第一支撑层与第二支撑层。
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