南京大学朱嘉获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种纳米线阵列、生长方法及热电器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116804269B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310523858.5，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权一种纳米线阵列、生长方法及热电器件是由朱嘉;吴震;徐凝设计研发完成，并于2023-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种纳米线阵列、生长方法及热电器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种纳米线阵列、生长方法及热电器件，生长方法包括以下步骤：获得SnTe模板和SnTe粉末，以SnTe模板为生长衬底，在SnTe模板上涂覆金颗粒；将SnTe粉末置于高温区，SnTe模板置于低温区，SnTe粉末在高温区加热升华为气态，气态的SnTe流动至低温区的SnTe模板时冷却并在金颗粒的诱导下生长为SnTe纳米线，SnTe纳米线为沿100方向生长的纳米线。该生长方法利用能量最低的选择性生长机制获得定向且有序的SnTe纳米线阵列，获得的纳米线热导率可低至5.6Wm‑1K‑1。
本发明授权一种纳米线阵列、生长方法及热电器件在权利要求书中公布了：1.一种纳米线阵列的生长方法，其特征在于：包括以下步骤 获得SnTe模板和SnTe粉末，以SnTe模板为生长衬底，在所述SnTe模板上涂覆金颗粒，所述SnTe模板上具有100和111表面； 将SnTe粉末置于高温区，SnTe模板置于低温区，SnTe粉末在高温区加热升华为气态，气态的SnTe流动至低温区的SnTe模板时冷却并在金颗粒的诱导下生长为SnTe纳米线，所述SnTe纳米线为沿100方向生长的纳米线。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京大学，其通讯地址为：210093 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励