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龙图腾网获悉泉州市三安集成电路有限公司申请的专利射频单元、射频单元的制造方法和通讯设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116995038B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310778882.3，技术领域涉及：H10W74/10；该发明授权射频单元、射频单元的制造方法和通讯设备是由金俐婷;种兆永;李岩;林秀红;袁安平设计研发完成，并于2023-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本射频单元、射频单元的制造方法和通讯设备在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种射频单元；该单元包括基板；半导体器件模块，设于基板上，半导体器件模块包括滤波器芯片和待填充器件；滤波器芯片具有距离基板的第一边缘最近的第一端和最远的第二端，第一端设置在距基板的第一边缘的第一距离处，第二端设置在距基板的第一边缘的第二距离处；待填充器件具有距离基板的第一边缘最近的第三端和最远的第四端，第三端设置在距基板的第一边缘的第三距离处，待填充器件的第四端设置在距基板的第一边缘的第四距离处；第三距离和第四距离不同时处于第一距离和第二距离之间。采用本发明的射频单元可以在模组中将滤波器芯片集中设置，实现覆膜区域集中，节省覆膜面积，降低成本。

本发明授权射频单元、射频单元的制造方法和通讯设备在权利要求书中公布了：1.一种射频单元，其特征在于，包括： 基板，具有第一表面和相对的第二表面； 半导体器件模块，设于所述基板的第一表面上，所述半导体器件模块包括多个滤波器芯片和一个或多个待填充器件；所述滤波器芯片具有朝向所述基板的下表面，所述滤波器芯片的下表面与所述基板的第一表面之间形成第一间隙；在所述多个滤波器芯片中，具有距离所述基板的第一边缘最近的第一端和距离所述基板的第一边缘最远的第二端，所述第一端设置在距所述基板的第一边缘的第一距离处，所述第二端设置在距所述基板的第一边缘的第二距离处；所述待填充器件具有朝向所述基板的下表面，所述待填充器件的下表面与所述基板的第一表面之间形成第二间隙；任一所述待填充器件具有距离所述基板的第一边缘最近的第三端和距离所述基板的第一边缘最远的第四端，所述第三端设置在距所述基板的第一边缘的第三距离处，所述第四端设置在距所述基板的第一边缘的第四距离处；任一所述待填充器件的第三距离处和第四距离处不同时处于所述第一距离处和所述第二距离处之间； 隔离膜，设于基板上，所述隔离膜包覆所述滤波器芯片，以使所述第一间隙形成封闭空腔；且所述隔离膜至多覆盖所述待填充器件的三个侧面；所述隔离膜为条状隔离膜。

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