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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种减小温度对输出精度影响的Capless LDO获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117311437B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311168379.2，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种减小温度对输出精度影响的Capless LDO是由钱翼飞;宿晓锋;王志利设计研发完成，并于2023-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种减小温度对输出精度影响的Capless LDO在说明书摘要公布了：本申请提供一种减小温度对输出精度影响的CaplessLDO，由PM0、PM1、PM2、PM3、PM4、NM0、NM1、NM2、NM3、R1、R2、R3等器件组成，其中，PM0、PM1、PM2、NM0、NM1、NM2组成电流镜像电路；PM3为功率调整管，具有一定的带负载能力；NM3、PM4是两级源跟随器，其中NM3为native管，将输出电压Vout稳定到一个固定值；R2为环路负反馈电阻，使LDO具有调节带不同负载的能力；R1、R3为匹配电阻，保证NM0、NM2的源端电压与NM1的源端电压一致。该CaplessLDO的Vout比基准电压VREF大，且Vout受温度的影响非常小，甚至可以忽略不计。

本发明授权一种减小温度对输出精度影响的Capless LDO在权利要求书中公布了：1.一种减小温度对输出精度影响的CaplessLDO，其特征在于，所述CaplessLDO包括第一PMOS管PM0、第二PMOS管PM1、第三PMOS管PM2、第四PMOS管PM3、第五PMOS管PM4、第一NMOS管NM0、第二NMOS管NM1、第三NMOS管NM2、第四NMOS管NM3、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3，其中， 所述第一PMOS管的源极接所述第二PMOS管的源极，所述第一PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和所述第一PMOS管的漏极，所述第一PMOS管的漏极接偏置电流； 所述第二PMOS管的漏极接所述第一NMOS管的漏极； 所述第三PMOS管的源极接所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极的连接点，所述第三PMOS管的栅极接所述偏置电流，所述第三PMOS管的漏极接所述第四PMOS管的栅极； 所述第四PMOS管的源极接所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极的连接点，所述第四PMOS管的漏极接所述第五PMOS管的源极作为所述CaplessLDO的输出端； 所述第五PMOS管的栅极接所述第三NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的源极的连接点，所述第五PMOS管的漏极接所述第二NMOS管的源极和所述第二电阻的连接点； 所述第一NMOS管的源极接所述第一电阻，所述第一NMOS管的栅极接所述第二NMOS管的栅极、所述第一NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的漏极； 所述第二NMOS管的源极接所述第二电阻，所述第二NMOS管的漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的栅极的连接点； 所述第三NMOS管的源极接所述第三电阻，所述第三NMOS管的栅极接所述第一NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的漏极的连接点，所述第三NMOS管的漏极接所述第四NMOS管的源极； 所述第四NMOS管的栅极接基准电压，所述第四NMOS管的漏极接所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极的连接点； 所述第一电阻、所述第二电阻和所述第三电阻的另一端相连后接地。

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