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龙图腾网获悉中国科学院海洋研究所申请的专利一种储能型有机-无机杂化半导体复合膜及其制备和光阳极应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117512602B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311397174.1，技术领域涉及：C23F13/14；该发明授权一种储能型有机-无机杂化半导体复合膜及其制备和光阳极应用是由杨玉莹;孙萌萌;段继周;侯保荣设计研发完成，并于2023-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种储能型有机-无机杂化半导体复合膜及其制备和光阳极应用在说明书摘要公布了：本发明属于光电化学阴极保护领域，具体地讲，本发明涉及一种储能型有机‑无机杂化半导体复合膜WO3@TpBpy‑COF@Bi2S3及其制备和光阳极应用。将功能性的有机半导体共价有机框架材料COFs作为中间相，通过表面改性、共价键合、配位络合连接无机半导体以形成稳定的多相异质有机‑无机杂化半导体复合膜。本发明将复合膜作为光阳极，在模拟太阳光照射下可使被保护金属充分阴极极化，闭光后也可提供持续的阴极保护，且具有好的稳定性。

本发明授权一种储能型有机-无机杂化半导体复合膜及其制备和光阳极应用在权利要求书中公布了：1.一种储能型有机-无机杂化半导体复合膜的制备方法，其特征在于：在导电Ti基片上生长纳米花阵列无机WO3薄膜，然后依次对WO3薄膜进行表面氨基化和COFs单体醛基化改性获得功能化的WO3表面，之后在功能化的WO3表面通过共价键合形式原位生长共价有机框架TpBpy-COF材料的薄层，最后利用共价有机框架TpBpy-COF薄层中联吡啶单元内分布的N原子配位络合Bi3+，再吸附S2-，实现无机半导体Bi2S3材料在COF中的锚定，获得以TpBpy-COF为中间介质两端连接WO3与Bi2S3的、具有花状阵列三层核壳结构的多相异质有机-无机杂化半导体复合膜WO3@TpBpy-COF@Bi2S3； 具体为： 1纳米花状阵列WO3薄膜的制备：将WCl6添加到的无水乙醇中混匀形成澄清的黄色溶液，将刻蚀的Ti基片作为薄膜生长的基体，而后将澄清的黄色溶液转移至放置有蚀刻Ti基片的特氟隆衬里的高压釜中，于140~180℃下反应22~26小时，反应后取出Ti基片、冲洗、干燥、煅烧即Ti基片上生长纳米花阵列WO3薄膜； 2WO3薄膜表面功能化：首先，将步骤1所得生长纳米花阵列WO3薄膜的Ti基片浸泡在乙醇溶液中20~30分钟，之后搅拌添加下滴加100~300μL3-氨基丙基三乙氧基硅烷，室温持续搅拌10~12小时，随后取出Ti基片对其洗涤、干燥，进而Ti基片表面上生长氨基功能化的WO3-NH2膜；而后将其置于1,4-二氧六环溶液中，随后向体系内加入0.3~0.5mM1,3,5-三醛基间苯三酚和1~1.5mM的冰乙酸，室温搅拌2~4小时后洗涤、干燥，使得Ti基片上生长Tp单体醛基化的WO3-CHO膜； 3制备共价键合WO3@TpBpy-COF：按1:1质量比，将1,3,5-三甲苯加入到1,4-二氧六环中混匀，混匀后加入终浓度0.7~1.0mM的1,3,5-三醛基间苯三酚和终浓度1.5~2.0mM的5,5’-二氨基-2,2’-联吡啶混匀获得混合溶液；将混合溶液倒入置有步骤2合成的Tp单体醛基化的WO3-CHO膜的Ti基片的反应釜中使其浸没Ti基片，100~120℃反应60~72小时，反应后取出洗涤并干燥，得到生长在Ti基片上的共价键合的WO3@TpBpy-COF复合膜； 4合成WO3@TpBpy-COF@Bi2S3：将步骤3所得的长有WO3@TpBpy-COF的Ti基片浸入含0.1~0.3MBiNO33·5H2O的乙二醇溶液中，搅拌后放置20~24小时，密封后在60~80℃恒温下保持10~12小时，冷却后清洗、干燥；干燥处理后将Ti基片浸入含0.2~0.4MNa2S·9H2O的甲醇溶液中2~3小时，之后清洗并干燥，于Ti基片表面形成多相异质有机-无机杂化半导体复合膜WO3@TpBpy-COF@Bi2S3。

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