中国人民解放军国防科技大学关东方获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种基于贴片堆叠的小型化超表面单元及超表面天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117913538B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410149531.0，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种基于贴片堆叠的小型化超表面单元及超表面天线是由关东方;付昱飞;杨章飙;刘永祥设计研发完成，并于2024-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于贴片堆叠的小型化超表面单元及超表面天线在说明书摘要公布了：本申请属于超表面技术领域，涉及一种基于贴片堆叠的小型化超表面单元及超表面天线。一种基于贴片堆叠的小型化超表面单元包括：多个依次堆叠的介质层，每个介质层均包括一个介质板，所有介质板的边长相等；最下方的介质板底部设有地板，其它介质板的顶部均设有两个对称间隔设置的辐射贴片，同一介质层的两个辐射贴片之间形成的槽线的长度方向与入射波电场方向垂直。采用本申请能够实现L波段的小型化和便携化。
本发明授权一种基于贴片堆叠的小型化超表面单元及超表面天线在权利要求书中公布了：1.一种基于贴片堆叠的小型化超表面单元，其特征在于，包括：多个依次堆叠的介质层，每个介质层均包括一个介质板，所有介质板的边长相等； 最下方的介质板底部设有地板，其它介质板的顶部均设有两个对称间隔设置的辐射贴片，同一介质层的两个辐射贴片之间形成的槽线的长度方向与入射波电场方向垂直； 包括从上到下依次相叠的：第一介质层、第二介质层、第三介质层以及第四介质层； 所述第一介质层包括：第一介质板以及第一辐射贴片； 所述第二介质层包括：第二介质板以及第二辐射贴片； 所述第三介质层包括：第三介质板以及第三辐射贴片； 所述第四介质层包括：第四介质板以及地板； 所述第三介质层还包括：二极管； 所述二极管的两端分别与一个第三辐射贴片相连； 所述第三介质层还包括：四条偏置线； 其中两条偏置线设在一个第三辐射贴片的两端且共线，另外两条偏置线设在另一个第三辐射贴片的两端且共线； 四条偏置线的方向均与入射波电场方向垂直，且对称设置。
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