华南理工大学季小红获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种碳化钼复合相薄膜的共溅射制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117926183B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410266388.3，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权一种碳化钼复合相薄膜的共溅射制备方法是由季小红;金玲;潘知虎;王磊设计研发完成，并于2024-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化钼复合相薄膜的共溅射制备方法在说明书摘要公布了：一种碳化钼复合相薄膜的共溅射制备方法，在基体上通过Mo2C靶和Mo靶共溅射同时沉积Mo2C和Mo，经退火处理后得到α‑MoCβ‑Mo2C复合相薄膜。本发明以Mo2C和Mo靶共溅射，即可得到α‑MoCβ‑Mo2C复合相薄膜，该α‑MoCβ‑Mo2C复合相薄膜与单相MoC相比具有更优的析氢性能。该碳化钼复合相薄膜的共溅射制备方法的制备方法简单、稳定好，因此可适用于制备大面积、无粘合剂析氢负极电极材料。
本发明授权一种碳化钼复合相薄膜的共溅射制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化钼复合相薄膜的共溅射制备方法，其特征在于：在基体上通过Mo2C靶和Mo靶共溅射同时沉积Mo2C和Mo，经退火处理后得到α-MoCβ-Mo2C复合相薄膜； 包括如下步骤： S1、将基体放置于真空磁控溅射设备的可旋转的基体支架； S2、将Mo2C靶安置在第一靶枪，将Mo靶安置在第二靶枪，同时沉积得到碳化钼薄膜； S3、将S2得到的碳化钼薄膜在Ar和H2混合气下退火，退火温度为600℃～700℃，得到α-MoCβ-Mo2C复合相薄膜； 所述S3具体为：S2得到的碳化钼薄膜在Ar和H2混合气下，控制升温速率以8℃min～12℃min升温至600℃～700℃的退火温度，然后保温50min～70min，保温结束后自然降温，最终得到α-MoCβ-Mo2C复合相薄膜； 所述S2具体为：将Mo2C靶安置在第一靶枪，将Mo靶安置在第二靶枪，控制溅射压强为0.5Pa～1.0Pa，且控制所述第一靶枪的溅射功率为150W～220W，所述第二靶枪的溅射功率为20W～50W，溅射25min～45min，同时沉积得到碳化钼薄膜。
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