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龙图腾网获悉福州大学申请的专利一种银铋硫矿结构热电材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117964367B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410143630.8，技术领域涉及：H10N10/852；该发明授权一种银铋硫矿结构热电材料及其制备方法是由罗中箴;杨瑞枝;崔洪花;周靖;邹志刚设计研发完成，并于2024-02-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种银铋硫矿结构热电材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种银铋硫矿结构热电材料及其制备方法，所述银铋硫矿结构热电材料的化学式为Pb5Sb12+xBi6‑xSe32或Pb4Sb12‑xBi8+xSe34；所述Pb5Sb12+xBi6‑xSe32中，0≤x≤5，Pb5Sb12+xBi6‑xSe32的NaCl结构单元形成层中对角线八面体数量为8；所述Pb4Sb12‑xBi8+xSe34中，0≤x≤6，Pb4Sb12‑xBi8+xSe34的NaCl结构单元形成层中对角线八面体数量为8；本发明得到的Pb4Sb9Bi11Se34材料，本征热电优值为0.48，该合成方法简单，成本低廉，可大规模推广应用，前景广阔。

本发明授权一种银铋硫矿结构热电材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种银铋硫矿结构热电材料，其特征在于：所述银铋硫矿结构热电材料的化学式为Pb5Sb12+xBi6-xSe32；所述Pb5Sb12+xBi6-xSe32中，0≤x≤5，Pb5Sb12+xBi6-xSe32的NaCl结构单元形成层中对角线八面体数量为8； 所述Pb5Sb12+xBi6-xSe32的晶体结构属于单斜结构，空间群为C2m；所述Pb5Sb12+xBi6-xSe32晶胞参数为a=28.032-28.067Å，b=4.1109-4.1166Å，c=21.149-21.187Å，β=130.700°-130.739°； 所述Pb5Sb12+xBi6-xSe32的制备方法，具体包括以下步骤： S1、准备原料Pb条、Sb粒、Bi粒和Se粒； S2、按照原子比例分别称取单质Pb、Sb、Bi和Se，倒入石英管中，抽真空后用氢氧焰密封石英管，在高温固相反应后得到Pb5Sb12+xBi6-xSe32材料； S3、将高温固相反应得到的Pb5Sb12+xBi6-xSe32材料研磨成粉末，得到的粉末装填到石墨模具中，然后进行放电等离子体烧结，得到Pb5Sb12+xBi6-xSe32块体材料。

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