上海工程技术大学孙明轩获国家专利权
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龙图腾网获悉上海工程技术大学申请的专利一种二维层状碳化硅半导体材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118324138B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410459981.X，技术领域涉及：C01B32/977；该发明授权一种二维层状碳化硅半导体材料及其制备方法是由孙明轩;赵俊杰;陈豪豪设计研发完成，并于2024-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维层状碳化硅半导体材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二维层状碳化硅半导体材料及其制备方法，属于半导体材料技术领域。制备方法包括：硅源与金属碳化物按比例加入容器中，加入有机溶剂进行超声反应，反应产物依次离心、酸洗、去离子水洗、乙醇洗和干燥，得到二维层状碳化硅半导体材料；硅源选自原硅酸四乙酯、硅酸、原硅酸、甲基硅酸、二硅酸、硅酸钠、乙基硅烷等，金属碳化物选自碱金属炔化物、碱土金属炔化物或过渡金属碳化物等，有机溶剂选自无水乙醇、异丙醇、乙二醇等，所得碳化硅呈现二维层状结构和6H‑SiC晶型，方法简单，成本低，同时避免使用过高温度，也避免危险原料的使用以及副产物的产生。
本发明授权一种二维层状碳化硅半导体材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二维层状碳化硅半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：将硅源与金属碳化物按比例加入容器中，向其中加入有机溶剂进行超声反应； 步骤2：超声反应后的产物进行后处理，包括依次离心、酸洗、去离子水洗、乙醇洗和干燥，得到二维层状碳化硅半导体材料； 其中，所述硅源选自原硅酸四乙酯、硅酸、原硅酸、甲基硅酸、二硅酸、硅酸钠、乙基硅烷中的一种或两种以上组合； 所述金属碳化物选自碱金属炔化物和或碱土金属炔化物； 所述有机溶剂选自无水乙醇、异丙醇、乙二醇中的一种或两种以上组合。
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