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龙图腾网获悉青岛佳恩半导体有限公司申请的专利一种单片集成逆导型GaN-HEMT功率器件的结构调整方法、介质及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118366984B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410453050.9，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种单片集成逆导型GaN-HEMT功率器件的结构调整方法、介质及系统是由王丕龙;王新强;杨玉珍设计研发完成，并于2024-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单片集成逆导型GaN-HEMT功率器件的结构调整方法、介质及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种单片集成逆导型GaN‑HEMT功率器件的结构调整方法、介质及系统，属于GaN‑HEMT功率器件技术领域，包括：建立GaN‑HEMT芯片内部结构的热流模型和热量散发路径拓扑图，采用关键路径分析算法计算识别热量散发的主要瓶颈区域；建立以散热最优为目标的上层模型和以GaN‑HEMT的漏电流最低为目标的下层模型并确定所述上层模型和所述下层模型的约束条件；分别以微米级金属散热片参数、微通道冷却结构参数和所述GaN‑HEMT的源极和漏极区域形成的垂直沟槽参数为灰狼捕猎算法的Alpha狼、Beta狼和Delta狼，采用灰狼捕猎算法对所述博弈模型进行求解；以得到的最优解作为调整参数。

本发明授权一种单片集成逆导型GaN-HEMT功率器件的结构调整方法、介质及系统在权利要求书中公布了：1.一种单片集成逆导型GaN-HEMT功率器件的结构调整方法，其特征在于，包括以下步骤： S10、建立GaN-HEMT芯片内部结构的热流模型，分析热量散发的路径及热量散发瓶颈区; S20、根据热流模型，构建GaN-HEMT芯片内部的热量散发路径拓扑图，其中，所述拓扑图的边表示热量传导通路，节点表示热源、热阻或热传导单元； S30、基于所述拓扑图，采用关键路径分析算法计算识别热量散发的主要瓶颈区域； S40、建立以散热最优为目标的上层模型，所述散热最优的调整方式为：在所述拓扑图的节点之间，以增加步数在2~3的两个不相邻节点之间的散热渠道的方式，对所述拓扑图进行调优； S50、建立以GaN-HEMT的漏电流最低为目标的下层模型，所述GaN-HEMT的漏电流最低的调整方式为：在源极和漏极区域形成垂直沟槽结构，以降低漏电流； S60、建立博弈模型，包括所述上层模型和所述下层模型，并确定所述上层模型和所述下层模型的约束条件； S70、分别以微米级金属散热片参数、微通道冷却结构参数和所述GaN-HEMT的源极和漏极区域形成的垂直沟槽参数为灰狼捕猎算法的Alpha狼、Beta狼和Delta狼，采用灰狼捕猎算法对所述博弈模型进行求解； S80、以得到的最优解，作为需要设置的微米级金属散热片或微通道冷却结构和所述GaN-HEMT的源极和漏极区域形成的垂直沟槽参数，输出给操作人员进行对单片集成逆导型GaN-HEMT功率器件的结构调整。

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