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龙图腾网获悉盛美半导体设备(上海)股份有限公司;盛美半导体设备韩国有限公司;清芯科技有限公司;盛帷半导体设备(上海)有限公司申请的专利用于等离子增强型薄膜沉积的炉管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118497718B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310112530.4，技术领域涉及：C23C16/511；该发明授权用于等离子增强型薄膜沉积的炉管是由王晖;王坚;贾社娜;沈辉;周冬成;张大海;吕策;陈国强;崔致久;全鍾赫;千家䘊;李東根设计研发完成，并于2023-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于等离子增强型薄膜沉积的炉管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，包括：工艺管，工艺管内构造有反应室和至少一个电离室；供气管，供气管用于输送待电离工艺气体至电离室，待电离工艺气体在电离室内电离后，进入反应室内，以在基板表面沉积相应的薄膜，或者发生吸附反应实现薄膜在基板表面逐层生长；第一电极和第二电极，位于工艺管之内并位于电离室的中部位置，其中，第一电极和或第二电极由挡板支撑，挡板的一端与对应电极相连，挡板的另一端与电离室内壁连接，以使得待电离工艺气体通过第一电极和第二电极之间。本发明提高了工艺气体的电离效率。

本发明授权用于等离子增强型薄膜沉积的炉管在权利要求书中公布了：1.一种用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，包括： 工艺管，包括可容纳多层基板的反应室和至少一个沿所述多层基板的层叠方向配置的电离室，所述电离室开设有若干与所述反应室相导通的第一气孔； 供气管，位于所述电离室内，并沿所述多层基板的层叠方向依次开设有若干第二气孔，所述供气管用于输送待电离工艺气体并经由所述第二气孔通入所述电离室，所述待电离工艺气体在所述电离室内电离后，由所述第一气孔通入所述反应室内，以在基板表面沉积相应的薄膜； 第一电极和第二电极，位于所述工艺管之内并位于电离室的中部位置，所述第一电极和所述第二电极与所述电离室的侧壁不接触，且沿所述多层基板的层叠方向排布，所述第一气孔位于所述第一电极和第二电极之间连线的垂直线上； 其中，所述供气管位于所述第一电极和所述第二电极之间，所述第一电极和第二电极由挡板支撑，每个所述挡板的一端与对应电极相连，每个所述挡板的另一端与所述电离室内壁连接，且所述第一电极和所述第二电极中至少一者由一个所述挡板支撑； 或所述供气管位于所述第一电极和所述第二电极的同一侧，且所述第一电极和所述第二电极之中与所述供气管距离更近的一者由挡板支撑，所述挡板的一端与对应电极相连，所述挡板的另一端与所述电离室中所述第一气孔所在内壁相连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人盛美半导体设备(上海)股份有限公司;盛美半导体设备韩国有限公司;清芯科技有限公司;盛帷半导体设备(上海)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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