买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118538766B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310145891.9，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权晶体管及其制作方法是由曺奎锡设计研发完成，并于2023-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种晶体管及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决阈值电压的变化范围和栅诱导漏极泄漏电流较大的技术问题。该晶体管包括：衬底，衬底包括具有第一凹槽的有源区；分别位于第一凹槽两侧的第一源漏区和第二源漏区，第一源漏区与第一凹槽之间的距离小于第二源漏区与第一凹槽之间的距离；栅极，栅极包括位于第一凹槽内的第一部分和位于第一部分上的第二部分，第二部分的长度大于第一部分的长度，且第二部分的中心线与第二源漏区位于第一部分的中心线的同侧；位于栅极和有源区之间的栅介质层。第二部分对第二源漏区和第一凹槽之间的有源区进行保护，且无需增加第二有源区的深度，降低阈值电压的变化范围，减小栅诱导漏极泄漏电流。

本发明授权晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括有源区，所述有源区具有第一凹槽； 沿第一方向，分别位于所述第一凹槽两侧的第一源漏区和第二源漏区，所述第一源漏区与所述第一凹槽之间的距离小于所述第二源漏区与所述第一凹槽之间的距离，所述第一源漏区为源区，所述第二源漏区为漏区； 栅极，所述栅极包括位于所述第一凹槽内的第一部分，以及位于所述第一部分上的第二部分，沿所述第一方向，所述第二部分的长度大于所述第一部分的长度，且所述第二部分的中心线与所述第二源漏区位于所述第一部分的中心线的同侧； 位于所述栅极和所述有源区之间的栅介质层； 位于所述第一源漏区下方的第一注入区以及位于所述第二源漏区下方的第二注入区，所述第一注入区和所述第二注入区均位于所述有源区内，所述第一注入区和所述第二注入区的一端均延伸至第一凹槽，所述第一注入区和所述第二注入区的另一端均延伸至所述有源区的侧面，所述第一注入区和所述第二注入区的底面均低于所述第一凹槽的底面，且所述第一凹槽下方为所述有源区； 所述第一注入区和所述第二注入区中注入的离子的导电类型均与所述有源区的导电类型相反，且所述第一注入区和所述第二注入区的导电类型均与所述有源区的导电类型相同，以使所述第一注入区和所述第二注入区的导电能力均低于所述有源区的导电能力。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。