清纯半导体(宁波)有限公司温家平获国家专利权
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龙图腾网获悉清纯半导体(宁波)有限公司申请的专利半导体功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118630038B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410738009.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体功率器件及其制备方法是由温家平;杨荣;王治丹设计研发完成，并于2024-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体功率器件及其制备方法，半导体功率器件包括：多个间隔的第一掺杂层，所述第一掺杂层位于所述栅极结构沿第一方向两侧的所述漂移层中且位于所述阱区朝向所述半导体衬底层一侧，所述第一掺杂层与所述阱区接触且与所述栅极结构间隔，所述第一掺杂层的掺杂类型与所述漂移层的掺杂类型相反；其中，第一掺杂层至半导体衬底层之间的间隔距离小于栅极结构至半导体衬底层之间的间隔距离，且所述第一掺杂层朝向所述半导体衬底层的一侧表面沿所述第一方向的宽度尺寸大于或等于所述第一掺杂层背离所述半导体衬底层的一侧表面沿所述第一方向的宽度尺寸。改善半导体功率器件在反向阻断状态下栅极结构的底部区域电场集中。
本发明授权半导体功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括： 半导体衬底层； 位于所述半导体衬底层一侧的漂移层； 栅极结构，位于部分所述漂移层中； 阱区，分别位于所述栅极结构沿第一方向两侧的所述漂移层中，所述阱区的导电类型与所述漂移层的导电类型相反； 多个间隔的第一掺杂层，所述第一掺杂层位于所述栅极结构沿第一方向两侧的所述漂移层中且位于所述阱区朝向所述半导体衬底层一侧，所述第一掺杂层与所述阱区接触且与所述栅极结构间隔，所述第一掺杂层的掺杂类型与所述漂移层的掺杂类型相反； 其中，所述第一掺杂层至所述半导体衬底层之间的间隔距离小于所述栅极结构至所述半导体衬底层之间的间隔距离，且所述第一掺杂层朝向所述半导体衬底层的一侧表面沿所述第一方向的宽度尺寸大于或等于所述第一掺杂层背离所述半导体衬底层的一侧表面沿所述第一方向的宽度尺寸。
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