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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利器件制备方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118737953B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410733567.3，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权器件制备方法和半导体器件是由张继伟;郭秋生;胡林辉;周华;丁甲设计研发完成，并于2024-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本器件制备方法和半导体器件在说明书摘要公布了：本公开提供了一种器件制备方法和半导体器件。其中，器件制备方法包括：提供基板，其中，在基板上形成有第一电介质层和导电件的第一导电部分，第一导电部分填充在开设于第一电介质层中的第一通孔内；形成图案化的第二电介质层，其中，在第二电介质层中开设有第二通孔，且第二通孔与第一通孔相连通；以及形成导电件的填充在第二通孔内的第二导电部分，其中，第二导电部分与第一导电部分电连接，且第二导电部分的厚度小于或等于预设厚度，以使得第二导电部分中不存在孔隙或者使得第二导电部分中存在的孔隙的特征尺寸小于或等于预设尺寸。

本发明授权器件制备方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种器件制备方法，其特征在于，所述器件制备方法包括： 提供基板，其中，在所述基板上形成有第一电介质层和导电件的第一导电部分，所述第一导电部分填充在开设于所述第一电介质层中的第一通孔内，所述第一导电部分包括密实部和位于所述密实部的上方的非密实部，其中，所述密实部中不存在孔隙或者所述密实部中存在的孔隙的特征尺寸小于或等于预设尺寸，所述非密实部中存在的孔隙的特征尺寸大于所述预设尺寸； 形成图案化的第二电介质层，其中，在所述第二电介质层中开设有第二通孔，且所述第二通孔与所述第一通孔相连通；以及 形成所述导电件的填充在所述第二通孔内的第二导电部分，其中，所述第二导电部分与所述第一导电部分电连接， 其中，形成所述导电件的填充在所述第二通孔内的第二导电部分包括： 沉积第二导电材料，其中，所沉积的第二导电材料包括填充在所述第二通孔内的第三导电材料部分以及覆盖在所述第二电介质层和所述第三导电材料部分的顶表面上的第四导电材料部分， 进行化学机械抛光以至少去除所述第四导电材料部分，以使得所述第二导电部分的厚度小于或等于所述密实部的厚度，从而使得所述第二导电部分中不存在孔隙或者使得所述第二导电部分中存在的孔隙的特征尺寸小于或等于所述预设尺寸。

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