长鑫存储技术有限公司薛兴坤获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构、其制备方法及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118888599B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310453482.5，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体结构、其制备方法及存储器是由薛兴坤;脱穷;崔相弦;顾婷婷;李泽伦;徐汉东;王朝辉设计研发完成，并于2023-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、其制备方法及存储器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构、其制备方法以及存储器。该半导体结构包括：第一栅极、第二栅极、第一栅介质层、第二栅介质层、半导体层、源极和漏极；第一栅极与第二栅极分别设置于半导体层的两侧，自第二栅极至第一栅极的方向上半导体层包括依次叠置的沟道层和阻挡层，沟道层和阻挡层中均包括含铟元素和镓元素的金属氧化物，且在金属氧化物的金属元素中，沟道层中的铟元素的原子占比高于阻挡层中的铟元素的原子占比。该结构的半导体层能够使得载流子被局限于迁移率较高的沟道层中运动，因此晶体管的载流子迁移率也能够得到有效提高。
本发明授权半导体结构、其制备方法及存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一栅极、第二栅极、第一栅介质层、第二栅介质层、半导体层、源极和漏极； 所述第一栅极与所述第二栅极分别设置于所述半导体层的两侧，所述第一栅介质层设置于所述第一栅极与所述半导体层之间，所述第二栅介质层设置于所述第二栅极与所述半导体层之间，自所述第二栅极至所述第一栅极的方向上所述半导体层包括依次叠置的沟道层和阻挡层，所述源极和所述漏极间隔设置且均电连接于所述沟道层； 所述第二栅介质层包括第一介质子层和第二介质子层；所述第一栅极和所述第二栅极共同用于控制所述沟道层，以使得载流子在所述沟道层中靠近所述阻挡层的一侧迁移； 所述沟道层和所述阻挡层中均包括含铟元素和镓元素的金属氧化物，且在所述金属氧化物的金属元素中，所述沟道层中的铟元素的原子占比高于所述阻挡层中的铟元素的原子占比。
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