四川大学展长勇获国家专利权
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龙图腾网获悉四川大学申请的专利基于磁控溅射的ErDx制备方法及产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118996355B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411094877.1，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权基于磁控溅射的ErDx制备方法及产品是由展长勇;陈宇;朱敬军;邹宇;安竹;杨吉军;詹美强设计研发完成，并于2024-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于磁控溅射的ErDx制备方法及产品在说明书摘要公布了：本发明属于材料制备技术领域，公开了一种基于磁控溅射的ErDx制备方法及产品，将磁控溅射设备的2真空抽至低于2×10‑3Pa，然后通入Ar气；在Ar气条件下，对铒靶进行预溅射；预溅射结束后，控制Ar气和D2气的总气压为0.3‑1.0Pa，并且D2气与Ar气的流量比在2:3‑4:3；控制溅射电源对铒靶进行溅射，至基底上的ErDx达到设定厚度，得到ErDx薄膜。本发明基于磁控溅射技术，通过控制气体流量和溅射功率便可实现ErDx的制备，能够提升氘化物中氘的含量，且极大降低含氧量，提高了制备效率，适于在本领域内推广使用。
本发明授权基于磁控溅射的ErDx制备方法及产品在权利要求书中公布了：1.一种基于磁控溅射的ErDx制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1将磁控溅射设备的本底真空抽至低于2×10-3Pa条件，然后通入Ar气； S2在Ar气条件下，对铒靶进行预溅射； S3预溅射结束后，控制Ar气和D2气的总气压为0.45-0.6Pa，并且D2气与Ar气的流量比在2:3-4:3； S4控制溅射电源对铒靶进行溅射，至基底上的ErDx达到设定厚度，得到ErDx薄膜；所述溅射电源为脉冲电源；当溅射电源为脉冲电源时，控制其电流为100-500mA、匹配电压为300-550V、占空比为30％-100％。
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