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龙图腾网获悉物元半导体技术(青岛)有限公司申请的专利先进封装TSV标识对准封装方法、封装结构及封装对准系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119069409B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411556268.3，技术领域涉及：H10P72/50；该发明授权先进封装TSV标识对准封装方法、封装结构及封装对准系统是由包凡良;林本付;郭顺华;高露;张玉瑞;宋丽川;杨光设计研发完成，并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本先进封装TSV标识对准封装方法、封装结构及封装对准系统在说明书摘要公布了：本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种先进封装TSV标识对准封装方法、封装结构及封装对准系统。从键合面一侧对准标识所在位置加工TSV窗口槽结构，能够从晶圆的键合面TSV窗口槽结构的位置识别晶圆背面的对准标识；由键合面一侧沉积氧化物介质，氧化物介质具有透明度，以能够从晶圆的键合面识别所述对准标识；在氧化物介质表面沉积光刻胶，刻蚀并去除刻蚀后的光刻胶；根据对准标识，对准晶圆和载体衬底，完成芯片封装。该方法基于封装对准系统实现。封装结构和封装对准系统均可以用于封装方法。光刻过程中，将光刻胶涂覆在氧化物介质层的表面，可以解决直接向TSV窗口槽中填充光刻胶，造成光刻胶填充深度过深，清洗不净的问题。

本发明授权先进封装TSV标识对准封装方法、封装结构及封装对准系统在权利要求书中公布了：1.一种先进封装TSV标识对准封装方法，其特征在于，用于芯片的封装对准，所述芯片集成在晶圆上，所述晶圆包括键合面和与键合面相对的背面，所述封装方法包括以下步骤： S1：在晶圆的背面加工对准标识； S2：对晶圆进行开窗处理，所述开窗处理的步骤包括：在晶圆键合面加工TSV窗口槽，该TSV窗口槽对准晶圆背面对准标识所在位置；TSV窗口槽结构的深度被配置为，能够从该晶圆的键合面一侧识别该晶圆背面的对准标识； S3：在晶圆的键合面一侧沉积氧化物介质层，所述氧化物介质层具有透明度，以能够从该晶圆的键合面一侧识别该晶圆背面的对准标识； S4：在晶圆氧化物介质层表面沉积光刻胶层，进行曝光、显影、刻蚀处理，其中显影处理过程中，去除曝光后的光刻胶； S5：提供待封装基底，在封装基底上加工辅助对准标识，根据对准标识的位置，调整晶圆相对待封装基底的位置至对准至辅助对准标识与对准标识对准，并完成芯片的封装。

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