长鑫存储技术有限公司石恒荣获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体封装结构与半导体封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153439B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310685850.9，技术领域涉及：H10W70/65；该发明授权半导体封装结构与半导体封装方法是由石恒荣设计研发完成，并于2023-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构与半导体封装方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体封装结构与半导体封装方法，涉及半导体技术领域。所述半导体封装结构包括：封装基板；随机存取存储芯片，与所述封装基板上的第一连接部形成键合；封装层，位于所述封装基板上，包覆所述随机存取存储芯片；重布线层，位于所述封装层上；第二导电线，至少部分地位于所述封装层内，连接所述封装基板上的第二连接部与所述重布线层的底面；闪存芯片，位于所述重布线层上，与所述重布线层的顶面形成键合；所述重布线层包括信号线路和参考线路，所述信号线路用于在所述闪存芯片与所述封装基板之间进行信号传输，所述参考线路用于提供信号传输的参考平面。本公开能够改善半导体器件翘曲、分层等问题，并提升信号完整性与电源完整性。
本发明授权半导体封装结构与半导体封装方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括： 封装基板； 随机存取存储芯片，通过第一导电线与所述封装基板上的第一连接部形成键合； 封装层，位于所述封装基板上，包覆所述随机存取存储芯片和所述第一导电线； 重布线层，位于所述封装层上； 第二导电线，至少部分地位于所述封装层内，连接所述封装基板上的第二连接部与所述重布线层的底面； 闪存芯片，位于所述重布线层上，与所述重布线层的顶面形成键合； 所述重布线层包括信号线路和参考线路，所述信号线路用于在所述闪存芯片与所述封装基板之间进行信号传输，所述参考线路用于提供信号传输的参考平面；所述参考线路包括电源线路和接地线路；连接所述电源线路的所述第二导电线的直径大于连接所述接地线路的所述第二导电线的直径。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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