长鑫存储技术有限公司王彪获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119252826B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310771109.4，技术领域涉及：H10W70/62；该发明授权一种半导体封装结构及其形成方法是由王彪;范增焰设计研发完成，并于2023-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体封装结构及其形成方法，半导体封装结构包括：基底和多个芯片。基底上包括凹槽和基底通孔。凹槽和基底通孔，均沿竖直方向贯穿基底。基底通孔位于凹槽的外侧。多个芯片沿竖直方向堆叠于凹槽中，且电连接至对应的基底通孔，且通过基底通孔而通信互连。
本发明授权一种半导体封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括： 基底，所述基底上包括凹槽和基底通孔；所述凹槽和所述基底通孔，均沿竖直方向贯穿所述基底；所述基底通孔位于所述凹槽的外侧； 多个芯片，沿所述竖直方向堆叠于所述凹槽中，且电连接至对应的所述基底通孔；多个所述芯片通过所述基底通孔而通信互连；所述凹槽的内壁和多个所述芯片的侧壁之间，填充有绝缘层； 所述半导体封装结构还包括：两层重布线层； 两层所述重布线层分别位于所述基底的正面和背面； 每个所述芯片通过对应的一层所述重布线层，电连接至对应的所述基底通孔； 塑封材料，所述塑封材料包围所述基底，所述塑封材料直接接触所述重布线层；所述塑封材料的导热性大于所述绝缘层的导热性。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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