上海华虹宏力半导体制造有限公司高斌获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利降低栅源反向漏电流的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119361423B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411312726.9，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权降低栅源反向漏电流的方法是由高斌;田磊;刘景望;余健魁设计研发完成，并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本降低栅源反向漏电流的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种降低栅源反向漏电流的方法，提供衬底，在衬底上形成沟槽，在沟槽上形成ONO层，ONO层由自下而上依次堆叠的第一氧化层、氮化层和第二氧化层组成；在沟槽中形成预设厚度的第一多晶硅层，之后在第一多晶硅层上形成隔离介质层，隔离介质层上侧的第二氧化层裸露；去除裸露的第二氧化层和氮化层；在第一氧化层上形成第三氧化层，第一、三氧化层的总厚度为目标厚度；形成填充剩余沟槽的第二多晶硅层，使得第二多晶硅层的底部为平滑形貌。本发明在匹配基准工艺结构的同时，将栅源反向漏电流参数降低至少一个数量级。
本发明授权降低栅源反向漏电流的方法在权利要求书中公布了：1.一种降低栅源反向漏电流的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成沟槽，在所述沟槽上形成ONO层，所述ONO层由自下而上依次堆叠的第一氧化层、氮化层和第二氧化层组成；此处，减少所述第一氧化层的厚度，增加所述第二氧化层的厚度，使得所述第一氧化层和所述第二氧化层的厚度与基准工艺一致； 步骤二、在所述沟槽中形成预设厚度的第一多晶硅层，之后在所述第一多晶硅层上形成隔离介质层，所述隔离介质层上侧的所述第二氧化层裸露； 步骤三、去除裸露的所述第二氧化层和所述氮化层； 步骤四、在所述第一氧化层上形成第三氧化层，所述第一氧化层、所述第三氧化层的总厚度为目标厚度； 步骤五、形成填充剩余所述沟槽的第二多晶硅层，使得所述第二多晶硅层的底部为平滑形貌。
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